Título :	Obtención y estudio de películas semiconductoras tipo p+ de ZnTe:N y Sb2Te3 para aplicaciones fotovoltaicas basadas en la heteroestructura CdS/CdTe
Autor(es):	Nicolás Enrique Vázquez Barragán
Palabras clave:	Celdas solares CdS/CdTe ZnTe:N Sb2Te3 Semiconductores
Área:	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
Fecha de publicación :	ago-2024
Editorial :	Universidad Autónoma de Querétaro
Páginas:	1 recurso en línea (111 páginas)
Folio RI:	FQDCC-281323
Facultad:	Facultad de Química
Programa académico:	Doctorado en Ciencias de la Energía
Resumen:	La tecnología CdS/CdTe presenta un gran inconveniente debido a la formación de la barrera de Shottky-Mott, la cual limita la eficiencia del dispositivo fotovoltaico. Una alternativa para aminorar sus efectos es mediante la adición de una película semiconductora tipo p+ entre el CdTe y el contacto posterior del dispositivo. Por este motivo, el objetivo de esta tesis doctoral se centró en el crecimiento de películas delgadas de ZnTe:N y Sb2Te3 para ser utilizadas como capas tipo p+. Se fabricaron dispositivos solares con la heteroestructura ZnO/CdS/CdTe/ZnTe:N/Cu-Au para evaluar el efecto que tuvo el tratamiento térmico rápido (RTP) sobre la capa ZnTe:N y por ende en la eficiencia del dispositivo. Se demostró que un RTP aplicado a la capa ZnTe:N mejoró en un 2% el rendimiento. Películas delgadas de SbxTey se depositaron en un sistema de erosión catódica a radiofrecuencia (RF) modificando el flujo de argón, temperatura de sustrato y potencia de RF. Se realizaron caracterizaciones estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de las películas de SbxTey para identificar los parámetros apropiados de crecimiento. La caracterización estructural reveló que variaciones en el flujo de argón favorecen el crecimiento de películas de SbxTey con una estructura predominantemente de Te hexagonal e incluso una mezcla de fases de Te hexagonal y Sb2Te3, mientras que incrementos en la temperatura de sustrato suprimen la formación de Te hexagonal y propician la formación del compuesto Sb2Te3. El estudio morfológico demostró que una temperatura de crecimiento de 400 °C favorece la presencia de granos bien definidos sobre la superficie. La caracterización óptica permitió determinar que una temperatura de crecimiento de 400 °C resultó en una muestra de SbxTey con una transmitancia relativamente baja de 3%. La caracterización eléctrica mostró que los mejores valores de densidad de huecos, movilidad y resistividad de las películas de SbxTey se obtienen con una temperatura de sustrato de 400 °C. Se determinó que las condiciones favorables para el crecimiento de películas de Sb2Te3 en un sistema de erosión catódica a RF son un flujo de argón de 2.5 sccm, una temperatura de sustrato de 400 °C y una potencia de RF de 30 W.
URI:	https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/11216
Aparece en:	Doctorado en Ciencias de la Energía

Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.