Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/11216
Registro completo de metadatos
Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.rights.licensehttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_ES
dc.contributorFrancisco Javier de Moure Floreses_ES
dc.creatorNicolás Enrique Vázquez Barragánes_ES
dc.date.accessioned2024-11-07T20:08:07Z-
dc.date.available2024-11-07T20:08:07Z-
dc.date.issued2024-08-
dc.identifier.urihttps://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/11216-
dc.descriptionLa tecnología CdS/CdTe presenta un gran inconveniente debido a la formación de la barrera de Shottky-Mott, la cual limita la eficiencia del dispositivo fotovoltaico. Una alternativa para aminorar sus efectos es mediante la adición de una película semiconductora tipo p+ entre el CdTe y el contacto posterior del dispositivo. Por este motivo, el objetivo de esta tesis doctoral se centró en el crecimiento de películas delgadas de ZnTe:N y Sb2Te3 para ser utilizadas como capas tipo p+. Se fabricaron dispositivos solares con la heteroestructura ZnO/CdS/CdTe/ZnTe:N/Cu-Au para evaluar el efecto que tuvo el tratamiento térmico rápido (RTP) sobre la capa ZnTe:N y por ende en la eficiencia del dispositivo. Se demostró que un RTP aplicado a la capa ZnTe:N mejoró en un 2% el rendimiento. Películas delgadas de SbxTey se depositaron en un sistema de erosión catódica a radiofrecuencia (RF) modificando el flujo de argón, temperatura de sustrato y potencia de RF. Se realizaron caracterizaciones estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de las películas de SbxTey para identificar los parámetros apropiados de crecimiento. La caracterización estructural reveló que variaciones en el flujo de argón favorecen el crecimiento de películas de SbxTey con una estructura predominantemente de Te hexagonal e incluso una mezcla de fases de Te hexagonal y Sb2Te3, mientras que incrementos en la temperatura de sustrato suprimen la formación de Te hexagonal y propician la formación del compuesto Sb2Te3. El estudio morfológico demostró que una temperatura de crecimiento de 400 °C favorece la presencia de granos bien definidos sobre la superficie. La caracterización óptica permitió determinar que una temperatura de crecimiento de 400 °C resultó en una muestra de SbxTey con una transmitancia relativamente baja de 3%. La caracterización eléctrica mostró que los mejores valores de densidad de huecos, movilidad y resistividad de las películas de SbxTey se obtienen con una temperatura de sustrato de 400 °C. Se determinó que las condiciones favorables para el crecimiento de películas de Sb2Te3 en un sistema de erosión catódica a RF son un flujo de argón de 2.5 sccm, una temperatura de sustrato de 400 °C y una potencia de RF de 30 W.es_ES
dc.formatpdfes_ES
dc.format.extent1 recurso en línea (111 páginas)es_ES
dc.format.mediumcomputadoraes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherUniversidad Autónoma de Querétaroes_ES
dc.relation.requiresSies_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.subjectCeldas solareses_ES
dc.subjectCdS/CdTees_ES
dc.subjectZnTe:Nes_ES
dc.subjectSb2Te3es_ES
dc.subjectSemiconductoreses_ES
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_ES
dc.titleObtención y estudio de películas semiconductoras tipo p+ de ZnTe:N y Sb2Te3 para aplicaciones fotovoltaicas basadas en la heteroestructura CdS/CdTees_ES
dc.typeTesis de doctoradoes_ES
dc.creator.tidORCIDes_ES
dc.contributor.tidORCIDes_ES
dc.creator.identificador0009-0004-4128-8052es_ES
dc.contributor.identificador0000-0002-8010-3573es_ES
dc.contributor.roleDirectores_ES
dc.degree.nameDoctorado en Ciencias de la Energíaes_ES
dc.degree.departmentFacultad de Químicaes_ES
dc.degree.levelDoctoradoes_ES
dc.format.supportrecurso en líneaes_ES
dc.matricula.creator281323es_ES
dc.folioFQDCC-281323es_ES
Aparece en: Doctorado en Ciencias de la Energía

Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
FQDCC-281323.pdf4.05 MBAdobe PDFPortada
Visualizar/Abrir
Mostrar el registro sencillo del ítem


Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.