Título :	Crecimiento de películas semiconductoras de ZnS por la técnica de baño químico
Sustentante:	Jean-Claude Octavius Junior Fran¿Ois
Palabras clave :	Películas semiconductoras ZnS Baño químico
Fecha de publicación:	2012
Editorial :	Universidad Autónoma de Querétaro
metadata.dc.degree.department:	Facultad de Química
metadata.dc.degree.name:	Ingeniero Químico en Materiales
Descripción :	El sulfuro de zinc (ZnS) es un material muy prometedor como sustituto del sulfuro de cadmio (CdS) en dispositivo optoeléctricos. Es un compuesto semiconductor debanda directa, por lo que tiene una gran variedad de aplicaciones industriales. En este trabajo de tesis, se presentan los resultados de investigación sobre la obtención de películas semiconductoras de sulfuro de zinc por la técnica de baño químico. Se optimizó una técnica para lograr controlar principalmente la razón de [S]/[Zn]. Después de la obtención de las películas, se midieron sus propiedades estructurales, eléctricas y ópticas. Para ello, las películas se caracterizaron por diferentes técnicas: resistividad, conductividad eléctrica por el método de cuatro puntas, medición de la transmisión y absorción ópticas por espectroscopia ultravioleta-visible, microscopia electrónica de barrido (SEM) y difracción de rayos X. Los resultados serán la base para un estudio posterior de aplicación de las películas obtenidas en la fabricación de una celda solar.
URI :	https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/6534
Otros identificadores :	563 - RI000923.pdf
Aparece en las colecciones:	Ingeniero Químico en Materiales

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