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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nd/4.0es_ES
dc.contributorJosé De Jesús Coronel Hernándezes_ES
dc.creatorJean-Claude Octavius Junior Fran¿Oises_ES
dc.date2012-
dc.date.accessioned2016-08-30T19:53:11Z-
dc.date.available2016-08-30T19:53:11Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier563 - RI000923.pdfes_ES
dc.identifier.urihttps://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/6534-
dc.descriptionEl sulfuro de zinc (ZnS) es un material muy prometedor como sustituto del sulfuro de cadmio (CdS) en dispositivo optoeléctricos. Es un compuesto semiconductor debanda directa, por lo que tiene una gran variedad de aplicaciones industriales. En este trabajo de tesis, se presentan los resultados de investigación sobre la obtención de películas semiconductoras de sulfuro de zinc por la técnica de baño químico. Se optimizó una técnica para lograr controlar principalmente la razón de [S]/[Zn]. Después de la obtención de las películas, se midieron sus propiedades estructurales, eléctricas y ópticas. Para ello, las películas se caracterizaron por diferentes técnicas: resistividad, conductividad eléctrica por el método de cuatro puntas, medición de la transmisión y absorción ópticas por espectroscopia ultravioleta-visible, microscopia electrónica de barrido (SEM) y difracción de rayos X. Los resultados serán la base para un estudio posterior de aplicación de las películas obtenidas en la fabricación de una celda solar.es_ES
dc.formatAdobe PDFes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherUniversidad Autónoma de Querétaroes_ES
dc.relation.requiresNoes_ES
dc.rightsAcceso Abiertoes_ES
dc.subjectPelículas semiconductorases_ES
dc.subjectZnSes_ES
dc.subjectBaño químicoes_ES
dc.titleCrecimiento de películas semiconductoras de ZnS por la técnica de baño químicoes_ES
dc.typeTesis de licenciaturaes_ES
dc.contributor.roleDirectores_ES
dc.degree.nameIngeniero Químico en Materialeses_ES
dc.degree.departmentFacultad de Químicaes_ES
dc.degree.levelLicenciaturaes_ES
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