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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nd/4.0es_ES
dc.contributorJosé Santos Cruzes_ES
dc.creatorCynthia Iveth Negrete Martínezes_ES
dc.date2012-
dc.date.accessioned2016-08-30T15:43:14Z-
dc.date.available2016-08-30T15:43:14Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier543 - RI000912.pdfes_ES
dc.identifier.urihttps://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/6510-
dc.descriptionPelículas de sulfuro de estaño (SnS) se crecieron en sustratos de vidrio corning, en un equipo de evaporación en alto vacío (10-6 Torr), a partir de polvo se sulfuro de estaño comercial con pureza de 99.999 %, se varió la temperatura del sustrato desde 150 hasta 350 ¿C. Las muestras obtenidas se caracterizaron estructural, morfológica, óptica y eléctricamente. Todas las películas mostraron una estructura tipo herzebengita, parámetros de red cercanos a los valores de polvo de SnS. Elancho de banda prohibido varió de 1.19 a 1.26 eV a medida que la temperatura del sustrato se incrementó. El tamaño de grano mostró una dependencia significativa de la temperatura del sustrato, el tamaño de grano promedio para las películas quese depositaron fue de 2 a 52 nm. La técnica Raman mostró que la estructura de las películas es de sulfuro de estaño con trazas de las fases Sn2S3 y SnS2. El análisis EDS mostró una relación Sn/S en el intervalo de 1.01-1.1. Las mediciones de fotorrespuesta revelaron que las películas depositadas a 300 ºC son las más fotosensibles, los valores de resistividad variaron desde 103 hasta 105 ¿-cm al incrementarse la temperatura del sustrato. Con base en los resultados obtenidos se puede determinar que las películas depositadas entre los 250 ºC y 300 ºC mostraron las mejores propiedades.es_ES
dc.formatAdobe PDFes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherUniversidad Autónoma de Querétaroes_ES
dc.relation.requiresNoes_ES
dc.rightsAcceso Abiertoes_ES
dc.subjectPelículas de SnSes_ES
dc.subjectEvaporaciónes_ES
dc.subjectAlto vacíoes_ES
dc.titleCrecimiento de películas delgadas de SnS por la técnica de evaporación en alto vacíoes_ES
dc.typeTesis de licenciaturaes_ES
dc.contributor.roleDirectores_ES
dc.degree.nameIngeniería en Químico de Alimentoses_ES
dc.degree.departmentFacultad de Químicaes_ES
dc.degree.levelLicenciaturaes_ES
Aparece en: Ingeniería en Químico de Alimentos

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