1. Repositorio Institucional UAQ
  2. Tesis
  3. Facultad de Química
  4. Doctorado
  5. Doctorado en Ciencias de la Energía
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dc.rights.licensehttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_ES
dc.contributorLatha Marasamyes_ES
dc.creatorKaviya Tracy Arockiadosses_ES
dc.date.accessioned2026-01-15T21:33:02Z-
dc.date.available2026-01-15T21:33:02Z-
dc.date.issued2025-11-27-
dc.identifier.urihttps://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/12525-
dc.descriptionLos semiconductores I2 -II-IV-VI4 (I = Cu/Ag; II = Ba/Sr/Co/Mn/Fe/Mg; IV = Sn/Ti; VI = S/Se) han despertado un creciente interés como capas absorbentes fotovoltaicas por sus propiedades optoelectrónicas favorables. No obstante, la eficiencia se ve limitada por un déficit elevado de 𝑉, atribuible a una desalineación de bandas con la capa tampón tóxica de CdS y a la recombinación próxima al contacto posterior. Para abordar estos retos, esta tesis presenta cuatro estudios: tres evalúan capas tampón no tóxicas como alternativas a CdS en celdas solares basadas en Cu2 𝑂𝐶 BaSn(S,Se)4 , Ag2 BaTiSe4 y Cu2 MSnS4 (M = Co, Mn, Fe, Mg); el cuarto examina el efecto de las capas transportadoras de huecos (HTL) en dispositivos de Cu2, empleando el simulador SCAPS-1D. En total, se diseñaron 4,959 dispositivos variando: la capa absorbente, capa tampón, HTL y propiedades de interfaz. Primero, se propone TiS2 como capa tampón para Cu2 MSnS4 (M = Co, Mn, Fe, Mg). Frente a CdS, las configuraciones con TiS2 logran eficiencias > 27 %, asociadas a barreras electrónicas reducidas (-0.24/-0.40/-0.04/0.08 eV en TiS2 /Cu2 MSnS4) y a potenciales incorporados superiores a 1.2 V. Segundo, se evalúa ZrS2 como capa tampón para Cu2 BaSn(S,Se)4 : ZrS2 se comporta como semiconductor tipo n degenerado, mejora la conductividad del dispositivo y muestra tolerancia a defectos hasta 10¹8 cm⁻³. Tercero, se exploran calcogenuros alcalinotérreos (MgS, BaS, CaS, SrS), además de CdS, como capas tampón para Ag2 BaTiSe4; alcanzando eficiencias >28 %, atribuible a menor acumulación de la capacitación y a mayor desdoblamiento de niveles cuasi-Fermi. Finalmente, se diseñan celdas de Cu2 SrSnS4 con y sin HTL; La celda sin HTL, el campo incorporado se debilita y la curvatura de bandas interfacial se intensifica, dificultando la separación y el transporte de huecos y reduciendo la eficiencia global, lo que resalta la importancia de integrar HTL para elevar la eficiencia. En conjunto, esta tesis ofrece una base teórica sólida para impulsar la mejora del desempeño en celdas I2 -II-IV-VI4 y orienta los pasos experimentales para lograr dispositivos más estables y eficientes.es_ES
dc.formatpdfes_ES
dc.format.extent1 recurso en línea (199 páginas)es_ES
dc.format.mediumcomputadoraes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherUniversidad Autónoma de Querétaroes_ES
dc.relation.requiresSies_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.subjectSCAPS-1Des_ES
dc.subjectCelda solar I2 -II-IV-VI4es_ES
dc.subjectCapa Tampón (buffer)es_ES
dc.subjectTasa de recombinación de portadoreses_ES
dc.subject.classificationBIOLOGÍA Y QUÍMICAes_ES
dc.titleReducción en las pérdidas de voltaje de circuito abierto en celdas solares emergentes de Cu2BaSn(S,Se)4, Ag2BaTiSe4 Y Cu2MSnS4 (M = Co, Mn, Fe, Mg) mediante el uso de capas buffer no tóxicas y Cu2SrSnS4 con capas de transporte de huecos inorgánicases_ES
dc.typeTesis de doctoradoes_ES
dc.creator.tidORCIDes_ES
dc.contributor.tidORCIDes_ES
dc.creator.identificador0000-0001-5508-4000es_ES
dc.contributor.identificador0000-0002-2564-0894es_ES
dc.contributor.roleDirectores_ES
dc.degree.nameDoctorado en Ciencias de la Energíaes_ES
dc.degree.departmentFacultad de Químicaes_ES
dc.degree.levelDoctoradoes_ES
dc.format.supportrecurso en líneaes_ES
dc.matricula.creator311411es_ES
dc.folioFQDCC-311411es_ES
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