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dc.rights.license http://creativecommons.org/licenses/by-nd/4.0 es_ES
dc.contributor José Santos Cruz es_ES
dc.creator Cynthia Iveth Negrete Martínez es_ES
dc.date 2012
dc.date.accessioned 2016-08-30T15:43:14Z
dc.date.available 2016-08-30T15:43:14Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier 543 - RI000912.pdf es_ES
dc.identifier.uri https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/6510
dc.description Películas de sulfuro de estaño (SnS) se crecieron en sustratos de vidrio corning, en un equipo de evaporación en alto vacío (10-6 Torr), a partir de polvo se sulfuro de estaño comercial con pureza de 99.999 %, se varió la temperatura del sustrato desde 150 hasta 350 ¿C. Las muestras obtenidas se caracterizaron estructural, morfológica, óptica y eléctricamente. Todas las películas mostraron una estructura tipo herzebengita, parámetros de red cercanos a los valores de polvo de SnS. Elancho de banda prohibido varió de 1.19 a 1.26 eV a medida que la temperatura del sustrato se incrementó. El tamaño de grano mostró una dependencia significativa de la temperatura del sustrato, el tamaño de grano promedio para las películas quese depositaron fue de 2 a 52 nm. La técnica Raman mostró que la estructura de las películas es de sulfuro de estaño con trazas de las fases Sn2S3 y SnS2. El análisis EDS mostró una relación Sn/S en el intervalo de 1.01-1.1. Las mediciones de fotorrespuesta revelaron que las películas depositadas a 300 ºC son las más fotosensibles, los valores de resistividad variaron desde 103 hasta 105 ¿-cm al incrementarse la temperatura del sustrato. Con base en los resultados obtenidos se puede determinar que las películas depositadas entre los 250 ºC y 300 ºC mostraron las mejores propiedades. es_ES
dc.format Adobe PDF es_ES
dc.language.iso spa es_ES
dc.publisher Universidad Autónoma de Querétaro es_ES
dc.relation.requires No es_ES
dc.rights Acceso Abierto es_ES
dc.subject Películas de SnS es_ES
dc.subject Evaporación es_ES
dc.subject Alto vacío es_ES
dc.title Crecimiento de películas delgadas de SnS por la técnica de evaporación en alto vacío es_ES
dc.type Tesis de licenciatura es_ES
dc.contributor.role Director es_ES
dc.degree.name Ingeniería en Químico de Alimentos es_ES
dc.degree.department Facultad de Química es_ES
dc.degree.level Licenciatura es_ES


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Nombre: RI000543.pdf
Tamaño: 1.554Mb
Formato: PDF
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