Título :	Síntesis y caracterización del semiconductor magnético diluido nanoestructurado CdS:Mn con aplicaciones potenciales en la fabricación de dispositivos electrónicos
Autor(es):	Jorge Alfredo Rodríguez Baltazar
Palabras clave:	Ingeniería y Tecnología Física Electrónica
Fecha de publicación :	15-oct-2019
Editorial :	Ingeniería
Facultad:	Facultad de Ingeniería
Programa académico:	Maestría en Ciencias (Nanotecnología)
Resumen:	Se diseño e implementó un semiconductor magnético diluido que consta de un semiconductor base tipo n (sulfuro de cadmio) dopado con iones de manganeso en forma de película delgada para llevar a cabo su utilización en dispositivos electrónicos, específicamente en fotodetectores. Inicialmente se sintetizó en forma de película el semiconductor sulfuro de cadmio mediante la técnica de deposición por baño químico para medir sus propiedades sin ningún tipo de impureza o alteración, posteriormente y con el mismo método de síntesis se incorporaron a la película iones de manganeso para observar su comportamiento a nivel óptico, estructural, eléctrico y magnético dando como resultado influencia significativa en todos los tipos de mediciones antes mencionadas además de mantener su calidad de semiconductor tipo n debido al aporte de electrones por parte de los iones manganeso. Según la literatura y los principios físicos y químicos nos llevaron a la teoría de que iones metálicos deben inducir comportamiento metálico en el semiconductor por lo que se convierte en un buen conductor de electrones bajo ciertas condiciones de excitación eléctrica ó estando presente un campo magnético externo circundante. Dadas la motivación, teorías discutidas y resultados obtenidos con las películas delgadas depositadas sobre sustratos de vidrio se procedió a una segunda etapa que consistió en diseñar, implementar y caracterizar un dispositivo de barrera Schottky que consta de una unión entre un metal y un semiconductor tipo n, se eligió fabricar dicho dispositivo debido a los materiales requeridos, el espesor necesario y el sencillo método de depósito tanto del semiconductor como de los contactos. Como resultados iníciales se obtuvieron películas policristalinas con fases cristalinas variables de acuerdo a la cantidad de dopaje incorporada y con propiedades ópticas aptas para su utilización en dispositivos optoelectrónicos y como parte de los resultados obtenidos después de fabricar y caracterizar el diodo de unión Schottky se observaron buenas propiedades eléctricas mismas que se aprovecharon para medir la influencia de la luz en el rendimiento del mismo y los fenómenos observados fueron buena fotosensibilidad para rectificar la corriente de polarización aplicada, pero una baja eficiencia en su aplicación como fotorresistencia.
URI:	https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/9147
Aparece en:	Maestría en Ciencias (Nanotecnología)

Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.