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Título : Propiedades optoelectrónicas de electrodos transparentes tipo p para su uso en celdas solares basadas en CdS/CdTe
Sustentante: Karen Rodríguez Rosales
Palabras clave : Ingeniería y Tecnología
Química
Tecnología de materiales
Fecha de publicación : 20-mar-2023
Editorial : Química
metadata.dc.degree.department: Facultad de Química
metadata.dc.degree.name: Doctorado en Ciencias de la Energía
Descripción : Los llamados óxidos conductores transparentes han atraído significativamente el interés debido a que presentan dos características particulares: alta transmitancia óptica y alta conductividad eléctrica, ambas propiedades permiten su aplicación en la electrónica transparente; pero el desarrollo de esta tecnología se ha visto frenada por la ausencia de semiconductores transparentes con conductividad tipo p. Investigaciones recientes enfatizan el gran potencial que los oxicalcogenuros basados en Cu presentan como semiconductores transparentes tipo p, debido a su conductividad, su alta concentración de portadores y a los altos valores de su ancho de banda prohibida. En este proyecto se fabricaron blancos cerámicos de LnCuOCh y Ln1-xMxCuOCh (Ln= La, Bi; M= Mg, Ca, Sr, y Ba; Ch= S, Se) por reacción en estado sólido, los cuales fueron empleados para el crecimiento de películas delgadas mediante la técnica de depósito por láser pulsado. Las películas de LaCuOS presentaron transmitancias ópticas entre 50-82% en la región visible. Las propiedades eléctricas de las películas de LaCuOS determinadas mediante efecto Hall indican altas movilidades, mostrando una conductividad eléctrica de tipo p de 0.74 S/cm y una densidad de portadores de 1019/cm3. La caracterización óptica de las películas de La1-xMxCuOS (M= Mg, Ca, Sr, y Ba) indico que la sustitución parcial de iones M2+ por iones La3+ incremento el porcentaje de transmitancia, con valores del 91 y 93%. Mediante efecto Hall se determinó que las películas impurificadas alcanzaron densidades de portadores en el orden de 1020/cm3, y conductividades eléctricas de 6.5-8.3 S/cm. Las películas de BiCuOSe presentaron porcentajes de transmitancia entre el 25-60%, un valor máximo de portadores de carga del orden de 1018/cm3, y una conductividad eléctrica de 50 S/cm. La caracterización óptica de las películas de Bi1-xMxCuOSe (M= Mg, Ca, Sr, y Ba) mostró que la sustitución parcial de iones M2+ por iones Bi3+ incremento el porcentaje de transmitancia, con valores máximos de 84 y 92%. Sin embargo, las propiedades eléctricas no superan lo obtenido para las películas de BiCuOSe. Finalmente, se realizaron celdas solares con la heteroestructura FTO/CdS/CdTe/Cu-Au, con una eficiencia máxima de 9.58%.
URI : https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/7824
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