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Título : Películas delgadas de CuO depositadas por spray pirólisis sujetas a post-tratamientos RTA para su aplicación como sensor de vapores de acetona
Autor: Dylan Iván Moreno Regino
Palabras clave : Películas delgadas
Óxido de cobre
Sensor de acetona
Spray pirólisis
Área: INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
Fecha de publicación : 1-jun-2024
Editorial : Universidad Autónoma de Querétaro
Páginas: 1 recurso en línea (107 páginas)
Folio RI: IGLIN-290640
Facultad: Facultad de Ingeniería
Programa académico: Ingeniería Física
Resumen: Películas delgadas de Cu2O fueron obtenidas por medio de la técnica de depósito de spray pirólisis desde una solución precursora compuesta de nitrato de cobre y dietanolamina (DEA) como agente reductor, esta última a una concentración fija. Las películas fueron obtenidas a una temperatura de depósito de 280°C con espesor de 500 - 600 nm, y bajo determinadas condiciones de temperaturay deposito, se obtuvo la fase única de Cu2O. Mediante tratamientos térmicos rápidos (RTA) posteriores al depósito de las películas se obtuvieron películas constituidas únicamente de la fase CuO, dado que esta es la fase más estable del óxido de cobre. Los tratamientos RTA fueron efectuados en atmósfera de argón + oxígeno a una proporción de 20% y 30%, a una temperatura de 440°C, con rampa de calentamiento de 5°C/s, considerando un tiempo fijo de 170 s. Propiedades estructurales, ópticas y morfológicas fueron estudiadas para las películas sin y con tratamientos térmicos RTA, mediante las siguientes técnicas de caracterización: i) difracción de rayos X, ii) reflectancia y transmitancia - UV-Vis y iii) microscopía óptica. Las películas delgadas de CuO fueron evaluadas como sensores de vapores de acetona en un intervalo amplio de concentración desde 50 a 1500 ppm, con la finalidad de determinar su aplicación como sensor en un ambiente laboral o en la detección de enfermedades. La respuesta como sensor de acetona de las películas fue correlacionada con sus propiedades.
URI : https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/10809
Colección: Ingeniería Física

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