Título :	Síntesis y características estructurales de semiconductores magnéticos diluidos de cd1-xmnxs confinados en sílice.
Autor(es):	Anabel Perez Torres
Palabras clave:	nanopartículas, mesoporos, SBA-3, SMDs, Cd, Mn, caracterización
Área:	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
Fecha de publicación :	8-nov-2010
Editorial :	Universidad Autonoma de Querétaro
Páginas:	1 recurso en línea (53 páginas)
Folio RI:	IGLIN-120908
Facultad:	Facultad de Ingeniería
Programa académico:	Ingeniería en Automatización
Resumen:	El propósito del presente trabajo es contribuir en el desarrollo de nuevos materiales Semiconductores Magnéticos Diluidos (SMD) con posible aplicación en dispositivos óptico-magneto-electrónico. En este trabajo de investigación se prepararon SMD a base de nanopartículas de Cd y Mn confinados y sulfurados en el interior de los mesoporos del material sílice SBA-3 (Santa Barbara Amorfo Número 3), el cual presenta un arreglo hexagonal de poros uniformes altamente ordenados. La preparación de los SMD se realizó en dos fases; en la primera se sintetizó el material de soporte SBA-3 mediante el proceso de sol-gel. En la segunda se llevó a cabo la incorporación (confinación) del Cd y del Mn mediante el método de impregnación. Se prepararon SMD con diferentes relaciones atómicas de Cd-Mn, utilizando como precursores los acetatos correspondientes. Posteriormente se realizó la sulfuración de las muestras para obtener los materiales Cd1-XMnXS/SBA-3. Las muestras fueron caracterizadas por las siguientes técnicas: Difracción de Rayos X (DRX), Espectroscopia Infrarroja con Transformada de Fourier (FT-IR), Espectroscopia Micro-Raman y Espectroscopia de Reflectancia Difusa en el rango Ultravioleta-visible (UV-vis). Los resultados indican la incorporación del Mn al CdS, dando lugar a la formación de pequeñas partículas del compuesto Cd1-XMnXS altamente dispersas en los mesoporos del material de soporte SBA-3. También mostraron que la presencia de manganeso permite modular las propiedades electrónicas y ópticas adecuadas en el desarrollo de diferentes dispositivos electrónicos.
URI:	https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/10627
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