Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/10040
Registro completo de metadatos
Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_ES
dc.contributorJosé Santos Cruzes_ES
dc.contributorSergio Alfonso Pérez Garcíaes_ES
dc.contributorSandra Andrea Mayén Hernándezes_ES
dc.contributorFrancisco Javier De Moure Floreses_ES
dc.creatorAbraham Méndez Reséndizes_ES
dc.date2021-01-01-
dc.date.accessioned2024-02-20T21:06:54Z-
dc.date.available2024-02-20T21:06:54Z-
dc.date.issued2021-01-01-
dc.identifier.urihttps://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/10040-
dc.descriptionEl compuesto Cu2ZnSnS4 ha emergido como una de las alternativas más viables y prometedoras en cuanto a materiales con aplicación en celdas solares debido a sus propiedades ópticas y eléctricas; se han reportado varias formas diferentes de obtener este compuesto, siendo una de ellas aquella en la que se utilizan sulfuros como precursores (CuS, ZnS, SnS). De manera análoga, el sulfuro de hierro ha llamado la atención de los investigadores en el campo de las celdas solares, ya que es un material semiconductor muy abundante y no tóxico con propiedades que podrían tener una gran aplicación en los dispositivos fotovoltaicos. En el presente trabajo se obtuvieron películas delgadas de un compuesto cuaternario similar al Cu2ZnSnS4 sustituyendo el Sn por el Fe, utilizando la técnica de evaporación en alto vacío. Se variaron las condiciones de intensidad de corriente y tiempo de depósito, con un posterior tratamiento térmico en atmósfera de azufre (sulfurizado) para obtener la estequiometría Cu2FeZnS4, las películas obtenidas fueron caracterizadas para determinar sus propiedades ópticas, eléctricas, morfológicas, su estructura cristalina y composición. Para ello se empleó, microscopía electrónica de barrido; espectroscopía ultravioleta-visible, espectroscopía fotoelectrónica de rayos X, difracción de rayos X, análisis de composición por EDS y se llevó a cabo un experimento de efecto Hall para determinar el tipo de semiconductor (p o n), la concentración de portadores de carga y la resistividad del material. A partir de estos análisis se determinó que se logró obtener el material Cu2FeZnS4, con una estructura tipo kesterita con composición homogénea en la película, semiconductor tipo n, coeficiente de absorción mayor a >104 cm-1, concentración de portadores ~1020 y ancho de banda prohibida entre 2.2-2.7 eV, con lo que se puede ver la factibilidad de que el material sea utilizado como capa absorbente en celdas solares.es_ES
dc.formatAdobe PDFes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherUniversidad Autónoma de Querétaroes_ES
dc.relation.requiresSies_ES
dc.rightsAcceso Abiertoes_ES
dc.subjectBiología y Químicaes_ES
dc.subjectQuímicaes_ES
dc.subjectTecnología de Materialeses_ES
dc.titleDesarrollo del material cuaternario CuxZnFeSy para aplicaciones en dispositivos solares.es_ES
dc.typeTesis de licenciaturaes_ES
dc.contributor.roleDirectores_ES
dc.contributor.roleCo-Directores_ES
dc.contributor.roleSinodales_ES
dc.contributor.roleSinodales_ES
dc.degree.nameIngeniería Químico en Materialeses_ES
dc.degree.departmentFacultad de Químicaes_ES
dc.degree.levelLicenciaturaes_ES
Aparece en las colecciones: Ingeniero Químico en Materiales

Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
FQLIC-NA-1019-121.pdf3.68 MBAdobe PDFVista previa
Visualizar/Abrir
Mostrar el registro sencillo del ítem


Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.