Síntesis y caracterización de películas semiconductoras de CuSbSe2 por la técnica de ablación láser para aplicaciones fotovoltaicas

Mónica Colunga Saucedo

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dc.rights.license	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0	es_ES
dc.contributor	Francisco Javier De Moure Flores	es_ES
dc.creator	Mónica Colunga Saucedo	es_ES
dc.date	2022-08-26
dc.date.accessioned	2023-06-20T20:04:23Z
dc.date.available	2023-06-20T20:04:23Z
dc.date.issued	2022-08-26
dc.identifier.uri	https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/8773
dc.description	Una de las alternativas más viables para la generación de electricidad son las celdas solares. La celda fotovoltaica basada en el compuesto CuInGaSe2 con una estructura cristalina ortorrómbica tipo calcopirita se ha reportado con una eficiencia de 23% no obstante el indio es escaso y el galio presenta alta toxicidad por lo se opta por la sustitución de estos dos elementos por el antimonio, obteniendo el compuesto ternario CuSbSe2, el cual presenta una configuración química parecida sin embargo modifica su estructura ortorrómbica a una tipo calcostibita por el estado de oxidación 3+ del antimonio, que a diferencia del indio, contiene dos electrones no enlazantes de un solo par que frustran el enlace tetraédrico, obteniendo una temperatura de crecimiento menor y mayor índice de absorción. En el presente trabajo se estudiaron las propiedades estructurales, ópticas y electrónicas de películas de CuSbSe2 por la técnica de depósito por láser pulsado. Primeramente, se obtuvieron blancos del material CuSbSe2 por la técnica de reacción en estado sólido, a partir de los precursores Cu2Se y Sb2Se3 variando las condiciones del tratamiento térmico para obtener la fase cristalina deseada y posteriormente se obtuvieron películas delgadas. La caracterización estructural mostró que para una temperatura de tratamiento térmico de 300 °C se obtienen películas con una mayor presencia de la fase CuSbSe2. La caracterización óptica permitió determinar un ancho de banda prohibida de entre 1.1-1.5 eV y la caracterización por efecto Hall permitió corroborar que las películas de CuSbSe2 tienen una conductividad tipo P.	es_ES
dc.format	Adobe PDF	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.publisher	Química	es_ES
dc.relation.requires	Si	es_ES
dc.rights	Acceso Abierto	es_ES
dc.subject	Ingeniería y Tecnología	es_ES
dc.subject	Química	es_ES
dc.subject	Física del Estado Sólido	es_ES
dc.title	Síntesis y caracterización de películas semiconductoras de CuSbSe2 por la técnica de ablación láser para aplicaciones fotovoltaicas	es_ES
dc.type	Tesis de maestría	es_ES
dc.creator.tid	Clave CV CONACyT	es_ES
dc.contributor.tid	curp	es_ES
dc.creator.identificador	924781	es_ES
dc.contributor.identificador	MOFF811110HDFRLR01	es_ES
dc.contributor.role	Director	es_ES
dc.degree.name	Maestría en Ciencias de la Energía	es_ES
dc.degree.department	Facultad de Química	es_ES
dc.degree.level	Maestría	es_ES