Una de las alternativas más viables para la generación de electricidad son las celdas solares. La celda fotovoltaica basada en el compuesto CuInGaSe2 con una estructura cristalina ortorrómbica tipo calcopirita se ha reportado con una eficiencia de 23% no obstante el indio es escaso y el galio presenta alta toxicidad por lo se opta por la sustitución de estos dos elementos por el antimonio, obteniendo el compuesto ternario CuSbSe2, el cual presenta una configuración química parecida sin embargo modifica su estructura ortorrómbica a una tipo calcostibita por el estado de oxidación 3+ del antimonio, que a diferencia del indio, contiene dos electrones no enlazantes de un solo par que frustran el enlace tetraédrico, obteniendo una temperatura de crecimiento menor y mayor índice de absorción. En el presente trabajo se estudiaron las propiedades estructurales, ópticas y electrónicas de películas de CuSbSe2 por la técnica de depósito por láser pulsado. Primeramente, se obtuvieron blancos del material CuSbSe2 por la técnica de reacción en estado sólido, a partir de los precursores Cu2Se y Sb2Se3 variando las condiciones del tratamiento térmico para obtener la fase cristalina deseada y posteriormente se obtuvieron películas delgadas. La caracterización estructural mostró que para una temperatura de tratamiento térmico de 300 °C se obtienen películas con una mayor presencia de la fase CuSbSe2. La caracterización óptica permitió determinar un ancho de banda prohibida de entre 1.1-1.5 eV y la caracterización por efecto Hall permitió corroborar que las películas de CuSbSe2 tienen una conductividad tipo P.