Se prepararon membranas con espesores del orden de micras disolviendo cierta cantidad de Fluoruro de polivinilideno (PVDF) en polvo con una solución de N,N,Dimetilformamida (DMF) a 60 °C para asegurar la fase ß en el polímero la cuál es la responsable de la propiedad de piezoelectricidad. Los dispositivos piezoeléctricos fueron preparados con membranas de PVDF puestas en dos placas de cobre metálico (Cu), como contactos eléctricos para colectar el potencial generado. Al incluir nanopartículas de dióxido de Silicio y un polímero semiconductor (Polianilina) en la membrana se modificaron las propiedades físicas y morfológicas de dicho polímero. Se encontró que la concentración óptima del dióxido de Silicio está entre 5% y 10% en masa, ya que a estos porcentajes se midieron los valores máximos de potencial de los dispositivos del orden de 20 mV.