DESARROLLO DE ÓXIDOS CONDUCTORES TRANSPARENTESPARA APLICACIÓN EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTÁICOS

Bruno Renato Flores Hernandez

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dc.rights.license	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0	es_ES
dc.contributor	Jose Santos Cruz	es_ES
dc.creator	Bruno Renato Flores Hernandez	es_ES
dc.date	2022-08-11
dc.date.accessioned	2022-08-17T15:33:28Z
dc.date.available	2022-08-17T15:33:28Z
dc.date.issued	2022-08-11
dc.identifier.uri	http://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/3806
dc.description	"El siguiente trabajo presenta los resultados y conclusiones del proceso de investigación en el desarrollo de un óxido conductor transparente en película delgada. Los materiales trabajados fueron el óxido de estaño dopado con bismuto, fósforo o antimonio, siendo este último el que presentó las propiedades de mayor interés. Se llevaron a cabo distintos tratamientos para la optimización de las películas, trabajando con las técnicas de rocío pirolítico, sol gel, inmersión remoción, spin coating y depósito físico de vapor. Dentro de los parámetros utilizados para mejorar las propiedades tanto ópticas como eléctricas se utilizaron el tipo de depósito, la temperatura de tratamiento térmico, la duración de tratamiento térmico y la atmósfera en la que se realizaba el postratamiento. Las muestras fueron analizadas por las técnicas de espectroscopia Uv-Vis, espectroscopia Raman, método de 4 puntas, efecto Hall, difracción de rayos X y espectroscopia de rayos x fotoemitidos. El parámetro principal para definir las características de una película con potencial aplicación para cuestiones optoelectrónicas fue la figura de mérito, siendo esta la que relaciona las propiedades eléctricas, con la resistencia de cuadro, junto a las ópticas con la transmitancia. Acorde a lo obtenido, la película de óxido de estaño dopado con antimonio con un tratamiento en atmósfera de nitrógeno mediante rocío pirolítico presentó una figura de mérito con el valor de 9.83x10-2Ω-1 , para el depósito película delgada el mejor desempeño fue a 425°C en sistema con arrastre de nitrógeno y una distancia de 30 cm. La incorporación de antimonio al óxido de estaño provoca una disminución de la resistividad de 2x10-1Ω-cm a 1.23x10-2 Ω-cm manteniendo una transmitancia del 73%."	es_ES
dc.format	Adobe PDF	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.relation.requires	Si	es_ES
dc.rights	Acceso Abierto	es_ES
dc.subject	óxidos conductores	es_ES
dc.subject	dispositivos fotovoltáicos	es_ES
dc.subject	celdas solares	es_ES
dc.subject.classification	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA	es_ES
dc.title	DESARROLLO DE ÓXIDOS CONDUCTORES TRANSPARENTESPARA APLICACIÓN EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTÁICOS	es_ES
dc.type	Tesis de doctorado	es_ES
dc.creator.tid	curp	es_ES
dc.contributor.tid	curp	es_ES
dc.creator.identificador	FOHB891110HVZLRR09	es_ES
dc.contributor.identificador	SACJ760912HZSNRS02	es_ES
dc.contributor.role	Director	es_ES
dc.degree.name	Doctorado en Ciencias de la Energía	es_ES
dc.degree.department	Facultad de Química	es_ES
dc.degree.level	Doctorado	es_ES