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dc.rights.license http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 es_ES
dc.contributor Francisco Javier De Moure Flores es_ES
dc.creator Paola Elideth Rodríguez Hernández es_ES
dc.date 2021-06-01
dc.date.accessioned 2021-05-21T17:46:02Z
dc.date.available 2021-05-21T17:46:02Z
dc.date.issued 2021-06-01
dc.identifier.uri http://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/2924
dc.description La producción de energía mediante dispositivos fotovoltaicos es un tema de gran relevancia hoy en día. Dentro de la elaboración de dispositivos fotovoltaicos se han encontrado alternativas para la reducción de costos, una de ellas, es el uso de películas delgadas para fabricar celdas, a través de la cual se obtienen dispositivos usando poco material. Existen técnicas físicas y químicas para depositar películas semiconductoras para aplicaciones fotovoltaicas. Por otra parte, los dispositivos flexibles han llamado la atención por su peso ligero y que a su vez son fáciles de plegar y transportar; ofrecen una fuente de energía alternativa de bajo costo y amplia área de superficie. El presente trabajo se enfoca en la elaboración de heteroestructuras semiconductoras flexibles del tipo n–p, libre de elementos tóxicos para su uso como dispositivo fotovoltaico; empleando las técnicas de baño químico y depósito por láser pulsado. Mediante la técnica de baño químico se impurificó el sulfuro de indio con Al, B y Ga; controlando parámetros de crecimiento, tales como: la temperatura y tiempo de depósito. Se crecieron películas de sulfuro de cobre y cobre, indio, disulfuro usando depósito por láser pulsado, variando longitud de onda y distancia blanco–sustrato. La caracterización estructural se realizó utilizando espectrometría Raman y Difracción de Rayos–X, cuyos resultados mostraron películas cristalinas en fases estables a temperatura ambiente de: ꞵ-In2S3, Sulfuro de cobre fase covelita, y el compuesto ternario con estequiometría CuInS2 con baja cristalinidad. Mediante la espectroscopia UV-Vis, se estimó el ancho de banda prohibida y transmitancia promedio de las películas con valores de 2.8 eV para el In2S3; de 2.2 para CuS y 1.7 para CuInS2. La conductividad de los materiales fue: tipo–n para el In2S3, tipo–p para el CuS y CuInS2. Finalmente, se obtuvo una heteroestructura de tipo n–p con la configuración PET/ITO/In2S3/CuS. es_ES
dc.format Adobe PDF es_ES
dc.language.iso Español es_ES
dc.relation.requires Si es_ES
dc.rights En Embargo es_ES
dc.subject Técnica de baño químico es_ES
dc.subject Depósito por láser pulsado es_ES
dc.subject Heteroestructura semiconductora es_ES
dc.subject Sustratos flexibles es_ES
dc.subject.classification INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA es_ES
dc.title Estudio de heteroestructuras tipo n-p para su aplicación en dispositivos fotovoltaicos flexibles, obtenidas mediante las técnicas de baño químico y depósito por láser pulsado es_ES
dc.type Tesis de doctorado es_ES
dc.creator.tid CURP es_ES
dc.contributor.tid curp es_ES
dc.creator.identificador ROHP890326MHGDRL02 es_ES
dc.contributor.identificador MOFF811110HDFRLR01 es_ES
dc.contributor.role Director es_ES
dc.degree.name Doctorado en Ciencias de la Energía es_ES
dc.degree.department Facultad de Química es_ES
dc.degree.level Doctorado es_ES


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Nombre: RI005969.pdf
Tamaño: 6.178Mb
Formato: PDF
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