La producción de energía mediante dispositivos fotovoltaicos es un tema de gran relevancia hoy en día. Dentro de la elaboración de dispositivos fotovoltaicos se han encontrado alternativas para la reducción de costos, una de ellas, es el uso de películas delgadas para fabricar celdas, a través de la cual se obtienen dispositivos usando poco material. Existen técnicas físicas y químicas para depositar películas semiconductoras para aplicaciones fotovoltaicas. Por otra parte, los dispositivos flexibles han llamado la atención por su peso ligero y que a su vez son fáciles de plegar y transportar; ofrecen una fuente de energía alternativa de bajo costo y amplia área de superficie. El presente trabajo se enfoca en la elaboración de heteroestructuras semiconductoras flexibles del tipo n–p, libre de elementos tóxicos para su uso como dispositivo fotovoltaico; empleando las técnicas de baño químico y depósito por láser pulsado. Mediante la técnica de baño químico se impurificó el sulfuro de indio con Al, B y Ga; controlando parámetros de crecimiento, tales como: la temperatura y tiempo de depósito. Se crecieron películas de sulfuro de cobre y cobre, indio, disulfuro usando depósito por láser pulsado, variando longitud de onda y distancia blanco–sustrato. La caracterización estructural se realizó utilizando espectrometría Raman y Difracción de Rayos–X, cuyos resultados mostraron películas cristalinas en fases estables a temperatura ambiente de: ꞵ-In2S3, Sulfuro de cobre fase covelita, y el compuesto ternario con estequiometría CuInS2 con baja cristalinidad. Mediante la espectroscopia UV-Vis, se estimó el ancho de banda prohibida y transmitancia promedio de las películas con valores de 2.8 eV para el In2S3; de 2.2 para CuS y 1.7 para CuInS2. La conductividad de los materiales fue: tipo–n para el In2S3, tipo–p para el CuS y CuInS2. Finalmente, se obtuvo una heteroestructura de tipo n–p con la configuración PET/ITO/In2S3/CuS.