Estudio de películas delgadas de ZnS impurificadas con Cr Y Mn POR la técnica de baño químico

Luis Germán Jiménez Chavero

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dc.rights.license	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0	es_ES
dc.contributor	José Santos Cruz	es_ES
dc.contributor	Lliana Licea Jiménez	es_ES
dc.contributor	Sandra Andrea Mayén Hernández	es_ES
dc.contributor	Francisco Javier De Moure Flores	es_ES
dc.contributor	Enrique Campos González	es_ES
dc.creator	Luis Germán Jiménez Chavero	es_ES
dc.date	2021-01-01
dc.date.accessioned	2024-02-20T19:52:07Z
dc.date.available	2024-02-20T19:52:07Z
dc.date.issued	2021-01-01
dc.identifier.uri	https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/10036
dc.description	El sulfuro de zinc (ZnS) es un material muy prometedor como sustituto del sulfuro de cadmio (CdS). El ZnS es un compuesto no tóxico, económico y relativamente de fácil obtención, además es el candidato perfecto para ser utilizado en dispositivos optoeléctricos. Es un compuesto semiconductor de banda directa, por lo que tiene una gran variedad de aplicaciones industriales. En el presente trabajo, se crecieron películas delgadas de sulfuro de zinc mediante la técnica de baño químico, impurificadas con manganeso y cromo. Las películas delgadas con las mejores características de adherencia y homogeneidad, fueron sometidas a tratamientos térmicos en vacío, variando la temperatura de 250 a 400 °C en pasos de 50 °C. Las muestras de ZnS se caracterizaron después de los tratamientos térmicos, a fin determinar cambios en su morfología, estructura cristalina, composición química, propiedades ópticas y eléctricas. La caracterización consistió en diferentes técnicas: la morfología por microscopía electrónica de barrido (SEM) observando aglomeraciones esféricas y rugosas las cuales son características de este tipo de películas, difracción de rayos X obteniendo una fase cubica nanocristalina tipo esfalerita. La medición de la transmisión óptica se realizó mediante espectroscopia ultravioleta-visible obteniendo unos valores entre 80 a 95 %, y un valor de banda prohibida de 3.7 a 4.4 eV para las películas de ZnS:Mn al 30 %. Los resultados serán la base para un estudio posterior de aplicación de las películas obtenidas en la fabricación de una celda solar.	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.publisher	Universidad Autónoma de Querétaro	es_ES
dc.relation.requires	No	es_ES
dc.rights	Acceso Abierto	es_ES
dc.subject	Biología y Química	es_ES
dc.subject	Química	es_ES
dc.subject	Tecnología de Materiales	es_ES
dc.title	Estudio de películas delgadas de ZnS impurificadas con Cr Y Mn POR la técnica de baño químico	es_ES
dc.type	Tesis de licenciatura	es_ES
dc.contributor.role	Director	es_ES
dc.contributor.role	Co-Director	es_ES
dc.contributor.role	Sinodal	es_ES
dc.contributor.role	Sinodal	es_ES
dc.contributor.role	Sinodal	es_ES
dc.degree.name	Ingeniería Químico en Materiales	es_ES
dc.degree.department	Facultad de Química	es_ES
dc.degree.level	Licenciatura	es_ES