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dc.rights.license http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 es_ES
dc.contributor José Santos Cruz es_ES
dc.contributor Lliana Licea Jiménez es_ES
dc.contributor Sandra Andrea Mayén Hernández es_ES
dc.contributor Francisco Javier De Moure Flores es_ES
dc.contributor Enrique Campos González es_ES
dc.creator Luis Germán Jiménez Chavero es_ES
dc.date 2021-01-01
dc.date.accessioned 2024-02-20T19:52:07Z
dc.date.available 2024-02-20T19:52:07Z
dc.date.issued 2021-01-01
dc.identifier.uri https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/10036
dc.description El sulfuro de zinc (ZnS) es un material muy prometedor como sustituto del sulfuro de cadmio (CdS). El ZnS es un compuesto no tóxico, económico y relativamente de fácil obtención, además es el candidato perfecto para ser utilizado en dispositivos optoeléctricos. Es un compuesto semiconductor de banda directa, por lo que tiene una gran variedad de aplicaciones industriales. En el presente trabajo, se crecieron películas delgadas de sulfuro de zinc mediante la técnica de baño químico, impurificadas con manganeso y cromo. Las películas delgadas con las mejores características de adherencia y homogeneidad, fueron sometidas a tratamientos térmicos en vacío, variando la temperatura de 250 a 400 °C en pasos de 50 °C. Las muestras de ZnS se caracterizaron después de los tratamientos térmicos, a fin determinar cambios en su morfología, estructura cristalina, composición química, propiedades ópticas y eléctricas. La caracterización consistió en diferentes técnicas: la morfología por microscopía electrónica de barrido (SEM) observando aglomeraciones esféricas y rugosas las cuales son características de este tipo de películas, difracción de rayos X obteniendo una fase cubica nanocristalina tipo esfalerita. La medición de la transmisión óptica se realizó mediante espectroscopia ultravioleta-visible obteniendo unos valores entre 80 a 95 %, y un valor de banda prohibida de 3.7 a 4.4 eV para las películas de ZnS:Mn al 30 %. Los resultados serán la base para un estudio posterior de aplicación de las películas obtenidas en la fabricación de una celda solar. es_ES
dc.language.iso spa es_ES
dc.publisher Universidad Autónoma de Querétaro es_ES
dc.relation.requires No es_ES
dc.rights Acceso Abierto es_ES
dc.subject Biología y Química es_ES
dc.subject Química es_ES
dc.subject Tecnología de Materiales es_ES
dc.title Estudio de películas delgadas de ZnS impurificadas con Cr Y Mn POR la técnica de baño químico es_ES
dc.type Tesis de licenciatura es_ES
dc.contributor.role Director es_ES
dc.contributor.role Co-Director es_ES
dc.contributor.role Sinodal es_ES
dc.contributor.role Sinodal es_ES
dc.contributor.role Sinodal es_ES
dc.degree.name Ingeniería Químico en Materiales es_ES
dc.degree.department Facultad de Química es_ES
dc.degree.level Licenciatura es_ES


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