El sulfuro de zinc (ZnS) es un material muy prometedor como sustituto del sulfuro de cadmio (CdS). El ZnS es un compuesto no tóxico, económico y relativamente de fácil obtención, además es el candidato perfecto para ser utilizado en dispositivos optoeléctricos. Es un compuesto semiconductor de banda directa, por lo que tiene una gran variedad de aplicaciones industriales. En el presente trabajo, se crecieron películas delgadas de sulfuro de zinc mediante la técnica de baño químico, impurificadas con manganeso y cromo. Las películas delgadas con las mejores características de adherencia y homogeneidad, fueron sometidas a tratamientos térmicos en vacío, variando la temperatura de 250 a 400 °C en pasos de 50 °C. Las muestras de ZnS se caracterizaron después de los tratamientos térmicos, a fin determinar cambios en su morfología, estructura cristalina, composición química, propiedades ópticas y eléctricas. La caracterización consistió en diferentes técnicas: la morfología por microscopía electrónica de barrido (SEM) observando aglomeraciones esféricas y rugosas las cuales son características de este tipo de películas, difracción de rayos X obteniendo una fase cubica nanocristalina tipo esfalerita. La medición de la transmisión óptica se realizó mediante espectroscopia ultravioleta-visible obteniendo unos valores entre 80 a 95 %, y un valor de banda prohibida de 3.7 a 4.4 eV para las películas de ZnS:Mn al 30 %. Los resultados serán la base para un estudio posterior de aplicación de las películas obtenidas en la fabricación de una celda solar.