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https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/6534
Título : | Crecimiento de películas semiconductoras de ZnS por la técnica de baño químico |
Autor(es): | Jean-Claude Octavius Junior Fran¿Ois |
Palabras clave: | Películas semiconductoras ZnS Baño químico |
Fecha de publicación : | 2012 |
Editorial : | Universidad Autónoma de Querétaro |
Facultad: | Facultad de Química |
Programa académico: | Ingeniero Químico en Materiales |
Resumen: | El sulfuro de zinc (ZnS) es un material muy prometedor como sustituto del sulfuro de cadmio (CdS) en dispositivo optoeléctricos. Es un compuesto semiconductor debanda directa, por lo que tiene una gran variedad de aplicaciones industriales. En este trabajo de tesis, se presentan los resultados de investigación sobre la obtención de películas semiconductoras de sulfuro de zinc por la técnica de baño químico. Se optimizó una técnica para lograr controlar principalmente la razón de [S]/[Zn]. Después de la obtención de las películas, se midieron sus propiedades estructurales, eléctricas y ópticas. Para ello, las películas se caracterizaron por diferentes técnicas: resistividad, conductividad eléctrica por el método de cuatro puntas, medición de la transmisión y absorción ópticas por espectroscopia ultravioleta-visible, microscopia electrónica de barrido (SEM) y difracción de rayos X. Los resultados serán la base para un estudio posterior de aplicación de las películas obtenidas en la fabricación de una celda solar. |
URI: | https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/6534 |
Otros identificadores : | 563 - RI000923.pdf |
Aparece en: | Ingeniero Químico en Materiales |
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