Título :	"ESTUDIO Y OBTENCIÓN DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORAS DE CdS y CdTe POR LAS TÉCNICAS DE BAÑO QUÍMICO Y ABLACIÓN LÁSER PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS BASADAS EN LA HETEROESTRUCTURA CdS/CdTe "
Autor(es):	Salomón Moreno Alcocer
Palabras clave:	Películas delgadas Dispositivos fotovoltaicos Baño químico Baño químico Semiconductores
Área:	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
Fecha de publicación :	31-ago-2022
Facultad:	Facultad de Química
Programa académico:	Ingeniero Químico en Materiales
Resumen:	En este trabajo se realizó la heteroestructura CdS/CdTe para aplicaciones fotovoltaicas. Primero se obtuvieron películas semiconductoras de CdS mediante la técnica de baño químico sobre sustratos de vidrio/SnO2:F con concentraciones de tiourea de 0.075 M y 0.1 M. Seguida de una película de CdTe por ablación láser a diferentes temperaturas. La caracterización de las películas de CdS por DRX (Difracción de rayos X) y espectroscopia Raman indican un crecimiento preferencial de la fase hexagonal con un tamaño de cristal ~19-20 nm. En los espectros UV-Vis se observaron los bordes de absorción entre 530-590 nm, los anchos de banda estimados son de 2.41-2.42 eV. Las mediciones de Efecto Hall indican una concentración y movilidad de portadores de -1.10x1012cm-3 y 400.54 cm2 /Vs, respectivamente. Posteriormente, se depositaron películas de CdTe a distintas temperaturas sobre los sustratos de vidrio/SnO2:F/CdS utilizando la técnica de ablación láser. En las imágenes SEM (Microscopia electrónica de barrido) se observó que al someter las películas de CdTe a un tratamiento térmico con CdCl2 se incrementa el tamaño de grano. La caracterización Raman indicó mayor intensidad del modo atribuido al CdTe al incrementar la temperatura de sustrato durante el depósito. El análisis de los espectros UV-Vis indico un borde de absorción entre los 800 nm, los anchos de banda estimados están entre 1.48-1.50 eV. Finalmente, las mediciones de corriente contra voltaje (J-V) de las heteroestructuras CdS/CdTe, indicaron que las mejores condiciones de depósito fueron a 0.1 M de tiourea para las películas de CdS y una temperatura de sustrato de 300 °C para el CdTe, obteniendo una eficiencia de 2.38 %.
URI:	http://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/3830
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