Título :	DESARROLLO DE ÓXIDOS CONDUCTORES TRANSPARENTESPARA APLICACIÓN EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTÁICOS
Autor(es):	Bruno Renato Flores Hernandez
Palabras clave:	óxidos conductores dispositivos fotovoltáicos celdas solares
Área:	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
Fecha de publicación :	11-ago-2022
Facultad:	Facultad de Química
Programa académico:	Doctorado en Ciencias de la Energía
Resumen:	"El siguiente trabajo presenta los resultados y conclusiones del proceso de investigación en el desarrollo de un óxido conductor transparente en película delgada. Los materiales trabajados fueron el óxido de estaño dopado con bismuto, fósforo o antimonio, siendo este último el que presentó las propiedades de mayor interés. Se llevaron a cabo distintos tratamientos para la optimización de las películas, trabajando con las técnicas de rocío pirolítico, sol gel, inmersión remoción, spin coating y depósito físico de vapor. Dentro de los parámetros utilizados para mejorar las propiedades tanto ópticas como eléctricas se utilizaron el tipo de depósito, la temperatura de tratamiento térmico, la duración de tratamiento térmico y la atmósfera en la que se realizaba el postratamiento. Las muestras fueron analizadas por las técnicas de espectroscopia Uv-Vis, espectroscopia Raman, método de 4 puntas, efecto Hall, difracción de rayos X y espectroscopia de rayos x fotoemitidos. El parámetro principal para definir las características de una película con potencial aplicación para cuestiones optoelectrónicas fue la figura de mérito, siendo esta la que relaciona las propiedades eléctricas, con la resistencia de cuadro, junto a las ópticas con la transmitancia. Acorde a lo obtenido, la película de óxido de estaño dopado con antimonio con un tratamiento en atmósfera de nitrógeno mediante rocío pirolítico presentó una figura de mérito con el valor de 9.83x10-2Ω-1 , para el depósito película delgada el mejor desempeño fue a 425°C en sistema con arrastre de nitrógeno y una distancia de 30 cm. La incorporación de antimonio al óxido de estaño provoca una disminución de la resistividad de 2x10-1Ω-cm a 1.23x10-2 Ω-cm manteniendo una transmitancia del 73%."
URI:	http://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/3806
Aparece en:	Doctorado en Ciencias de la Energía

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