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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_ES
dc.contributorJose Santos Cruzes_ES
dc.creatorBruno Renato Flores Hernandezes_ES
dc.date2022-08-11-
dc.date.accessioned2022-08-17T15:33:28Z-
dc.date.available2022-08-17T15:33:28Z-
dc.date.issued2022-08-11-
dc.identifier.urihttp://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/3806-
dc.description"El siguiente trabajo presenta los resultados y conclusiones del proceso de investigación en el desarrollo de un óxido conductor transparente en película delgada. Los materiales trabajados fueron el óxido de estaño dopado con bismuto, fósforo o antimonio, siendo este último el que presentó las propiedades de mayor interés. Se llevaron a cabo distintos tratamientos para la optimización de las películas, trabajando con las técnicas de rocío pirolítico, sol gel, inmersión remoción, spin coating y depósito físico de vapor. Dentro de los parámetros utilizados para mejorar las propiedades tanto ópticas como eléctricas se utilizaron el tipo de depósito, la temperatura de tratamiento térmico, la duración de tratamiento térmico y la atmósfera en la que se realizaba el postratamiento. Las muestras fueron analizadas por las técnicas de espectroscopia Uv-Vis, espectroscopia Raman, método de 4 puntas, efecto Hall, difracción de rayos X y espectroscopia de rayos x fotoemitidos. El parámetro principal para definir las características de una película con potencial aplicación para cuestiones optoelectrónicas fue la figura de mérito, siendo esta la que relaciona las propiedades eléctricas, con la resistencia de cuadro, junto a las ópticas con la transmitancia. Acorde a lo obtenido, la película de óxido de estaño dopado con antimonio con un tratamiento en atmósfera de nitrógeno mediante rocío pirolítico presentó una figura de mérito con el valor de 9.83x10-2Ω-1 , para el depósito película delgada el mejor desempeño fue a 425°C en sistema con arrastre de nitrógeno y una distancia de 30 cm. La incorporación de antimonio al óxido de estaño provoca una disminución de la resistividad de 2x10-1Ω-cm a 1.23x10-2 Ω-cm manteniendo una transmitancia del 73%."es_ES
dc.formatAdobe PDFes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.relation.requiresSies_ES
dc.rightsAcceso Abiertoes_ES
dc.subjectóxidos conductoreses_ES
dc.subjectdispositivos fotovoltáicoses_ES
dc.subjectceldas solareses_ES
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_ES
dc.titleDESARROLLO DE ÓXIDOS CONDUCTORES TRANSPARENTESPARA APLICACIÓN EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTÁICOSes_ES
dc.typeTesis de doctoradoes_ES
dc.creator.tidcurpes_ES
dc.contributor.tidcurpes_ES
dc.creator.identificadorFOHB891110HVZLRR09es_ES
dc.contributor.identificadorSACJ760912HZSNRS02es_ES
dc.contributor.roleDirectores_ES
dc.degree.nameDoctorado en Ciencias de la Energíaes_ES
dc.degree.departmentFacultad de Químicaes_ES
dc.degree.levelDoctoradoes_ES
Aparece en: Doctorado en Ciencias de la Energía

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