Título :	Estudio y obtención de películas de GeS por PVD para aplicaciones fotovoltaicas
Autor(es):	Cuauhtémoc Guerrero León
Palabras clave:	Sulfuro de germanio Depósito físico de vapor Tratamiento térmico
Área:	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
Fecha de publicación :	17-dic-2020
Facultad:	Facultad de Química
Programa académico:	Maestría en Ciencias de la Energía
Resumen:	El presente trabajo de investigación se centró en el desarrollo de películas delgadas de GeS utilizando el método de depósito físico de vapor mediante la evaporación de polvo de GeS grado semiconductor. Posteriormente, las películas delgadas se caracterizaron mediante perfilometría, espectroscopias de UV-Visible y Raman, difracción de rayos X y finamente se realizaron mediciones eléctricas. Las películas fueron sometidas a tratamiento térmico durante 20 minutos bajo dos condiciones diferentes: la primera variando la temperatura en el intervalo de 200 a 400 °C en pasos de 50 °C y la segunda en atmósfera de nitrógeno-azufre. Los resultados de difracción de rayos X y espectroscopia Raman revelaron que las películas depositadas, así como las muestras con tratamiento térmico a temperatura más baja tenían una fase amorfa; sin embargo, a 350 °C, se observó un cambio significativo a una estructura ortorrómbica. Mediante espectroscopia UV-Vis, se calculó el ancho de banda prohibida 1.45 y 1.65 eV después del tratamiento térmico. Para la caracterización eléctrica se realizaron mediciones de efecto Hall, identificando la temperatura y el tiempo del tratamiento térmico adecuados como 350 °C y 20 minutos. Finalmente, utilizando las mejores condiciones de depósito y parámetros de tratamiento térmico para las películas delgadas de GeS, se fabricó y caracterizó la heteroestructura, FTO/CdS/GeS/Ag mediante simulador solar, concluyendo que el material se puede utilizar como una capa tipo p para aplicaciones fotovoltaicas.
URI:	http://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/2689
Aparece en:	Maestría en Ciencias de la Energía

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