Título :	Estudio de la estructura electrónica y vibracional en compuestos semi-Heusler usando teoríıa del funcional de la densidad
Autor(es):	Alberto García Martínez
Palabras clave:	Semi-Heusler DFT Quantum espresso Figura de mérito
Área:	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
Fecha de publicación :	sep-2024
Editorial :	Facultad de Ingenieria
Páginas:	1 recurso en línea (58 páginas)
Folio RI:	IGLIN-280894
Facultad:	Facultad de Ingeniería
Programa académico:	Ingeniería Física
Resumen:	En este trabajo se realizo un estudio de los compuestos semi-Heusler ternarios ́ LaPtBi, LuPtSb, ScAuPb y ScPtBi para su aplicacion como materiales termoel ́ ectricos ́ partiendo del analisis del comportamiento de su estructura vibracional y electr ́ onica, al ́ igual que se soluciono la ecuaci ́ on de transporte de Boltzmann (ETB) obteniendo las ́ propiedades termoelectricas, llevando al c ́ alculo de su figura de m ́ erito ́ ZT, donde entre mas cercano sea a 1 su valor es mejor. Se eligieron estos cuatro compuestos gracias a que ́ presentan elementos constitutivos de numero at ́ omico elevado, cuentan con anchos de ́ bandas estrechos (de 0 a 1 eV) ademas de buena estabilidad estructural, caracter ́ ́ısticas deseables en materiales termoelectricos con aplicaciones a altas temperaturas. Los ́ calculos electr ́ onicos y vibracionales se ejecutaron con el programa de software libre ́ Quantum Espresso (QE) [10] el cual realiza calculos bas ́ andose en la teor ́ ́ıa del funcional de la densidad (DFT) usando potenciales de intercambio y correlacion de tipo GGA-PBE ́ y pseudopotenciales de tipo KJPAW que ademas son de tipo relativistas completos para ́ incluir los efectos del acoplamiento esp ́ın-orbita en todas las operaciones. Tambi ́ en se ́ utilizo el software libre Phono3py para c ́ alculos de fonones, implementando el m ́ etodo ́ de desplazamiento finito y el codigo BoltzTrap para resolver la ETB dentro de QE y as ́ ́ı obtener sus propiedades termoelectricas. ́ Calculando las propiedades termoelectricas ́ S, σ/τ y κe/τ , la figura de merito ́ considerando solo la parte electronica de la conductividad t ́ ermica obtuvo su valor ́ maximo de 0.305 en 600 K para el material LuPtSb, mientras que incluyendo la parte ́ electronica y de la red en la conductividad t ́ ermica ́ κ = κe + κl el maximo fue de 0.190 a ́ 800 K nuevamente para LuPtSb. A pesar de que estos compuestos semi-Heusler cuentan con varias caracter ́ısticas favorables como termoelectricos, los valores obtenidos para ́ ZT no son cercanos a 1. Esto nos lleva a decir que en su configuracion sin modificaciones no ́ son adecuados para su aplicacion como materiales termoel ́ ectricos. ́
URI:	https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/11245
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