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dc.rights.licensehttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_ES
dc.contributorJosé Alonso López Mirandaes_ES
dc.creatorAlberto García Martínezes_ES
dc.date.accessioned2024-11-22T17:58:20Z-
dc.date.available2024-11-22T17:58:20Z-
dc.date.issued2024-09-
dc.identifier.urihttps://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/11245-
dc.descriptionEn este trabajo se realizo un estudio de los compuestos semi-Heusler ternarios ́ LaPtBi, LuPtSb, ScAuPb y ScPtBi para su aplicacion como materiales termoel ́ ectricos ́ partiendo del analisis del comportamiento de su estructura vibracional y electr ́ onica, al ́ igual que se soluciono la ecuaci ́ on de transporte de Boltzmann (ETB) obteniendo las ́ propiedades termoelectricas, llevando al c ́ alculo de su figura de m ́ erito ́ ZT, donde entre mas cercano sea a 1 su valor es mejor. Se eligieron estos cuatro compuestos gracias a que ́ presentan elementos constitutivos de numero at ́ omico elevado, cuentan con anchos de ́ bandas estrechos (de 0 a 1 eV) ademas de buena estabilidad estructural, caracter ́ ́ısticas deseables en materiales termoelectricos con aplicaciones a altas temperaturas. Los ́ calculos electr ́ onicos y vibracionales se ejecutaron con el programa de software libre ́ Quantum Espresso (QE) [10] el cual realiza calculos bas ́ andose en la teor ́ ́ıa del funcional de la densidad (DFT) usando potenciales de intercambio y correlacion de tipo GGA-PBE ́ y pseudopotenciales de tipo KJPAW que ademas son de tipo relativistas completos para ́ incluir los efectos del acoplamiento esp ́ın-orbita en todas las operaciones. Tambi ́ en se ́ utilizo el software libre Phono3py para c ́ alculos de fonones, implementando el m ́ etodo ́ de desplazamiento finito y el codigo BoltzTrap para resolver la ETB dentro de QE y as ́ ́ı obtener sus propiedades termoelectricas. ́ Calculando las propiedades termoelectricas ́ S, σ/τ y κe/τ , la figura de merito ́ considerando solo la parte electronica de la conductividad t ́ ermica obtuvo su valor ́ maximo de 0.305 en 600 K para el material LuPtSb, mientras que incluyendo la parte ́ electronica y de la red en la conductividad t ́ ermica ́ κ = κe + κl el maximo fue de 0.190 a ́ 800 K nuevamente para LuPtSb. A pesar de que estos compuestos semi-Heusler cuentan con varias caracter ́ısticas favorables como termoelectricos, los valores obtenidos para ́ ZT no son cercanos a 1. Esto nos lleva a decir que en su configuracion sin modificaciones no ́ son adecuados para su aplicacion como materiales termoel ́ ectricos. ́es_ES
dc.formatpdfes_ES
dc.format.extent1 recurso en línea (58 páginas)es_ES
dc.format.mediumcomputadoraes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherFacultad de Ingenieriaes_ES
dc.relation.requiresNoes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.subjectSemi-Heusleres_ES
dc.subjectDFTes_ES
dc.subjectQuantum espressoes_ES
dc.subjectFigura de méritoes_ES
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_ES
dc.titleEstudio de la estructura electrónica y vibracional en compuestos semi-Heusler usando teoríıa del funcional de la densidades_ES
dc.typeTesis de licenciaturaes_ES
dc.creator.tidORCIDes_ES
dc.contributor.tidORCIDes_ES
dc.creator.identificador0000-0001-6074-1386es_ES
dc.contributor.identificador0000-0001-6074-1386es_ES
dc.contributor.roleDirector de tesises_ES
dc.degree.nameIngeniería Físicaes_ES
dc.degree.departmentFacultad de Ingenieríaes_ES
dc.degree.levelLicenciaturaes_ES
dc.format.supportrecurso en líneaes_ES
dc.matricula.creator280894es_ES
dc.folioIGLIN-280894es_ES
Aparece en: Ingeniería Física

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