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https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/2525
Título : | SÍNTESIS Y CARACTERIZACIÓN DE PUNTOS CUÁNTICOS DE SULFURO DE ZINC DOPADOS CON MANGANESO PARA POSIBLES APLICACIONES FOTOVOLTAICAS |
Autor(es): | Ollin Edmundo Blanco Guzmán |
Palabras clave: | Nanotecnología Fotovoltaica Puntos Cuánticos Sulfuro de Zinc Dopaje |
Área: | INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA |
Fecha de publicación : | 21-ene-2021 |
Facultad: | Facultad de Ingeniería |
Programa académico: | Ingeniería en Nanotecnología |
Resumen: | La nanotecnología nos ofrece una amplia gama de soluciones a los problemas que enfrentamos en la actualidad, la presente investigación indaga en el método de síntesis de un material nanoestructurado compuesto por ZnS y dopado con Mn, se busca encontrar las mejores condiciones de síntesis que aporten buenos rendimientos de reacción, buenas propiedades optoelectrónicas del material. En la literatura, el método de síntesis por microemulsión nos permite producir nuestro material del tamaño de puntos cuánticos, se variaron concentraciones de dopante, uso de sonoquímica y pH de la reacción. Las caracterizaciones fisicoquímicas usadas fueron una espectroscopía Ultravioleta Visible para determinar el band gap óptico del material. Difracción de rayos X para determinar estructura cristalina de nuestro material, así también como el parámetro de red, y el tamaño de cristalito. Se Realizo una espectroscopía Raman para complementar el análisis por XRD y argumentar sobre el ingreso del dopante en la red cristalina. Finalmente, pruebas de respuesta foto electrónica fueron realizadas a nuestro material luego de ser depositado en una película de ITO Los resultados arrojaron que la síntesis asistida por sonoquímica aumentaba el rendimiento de la reacción, lo mismo ocurría con el pH salvo que en pH muy altos nuestro material perdía sus propiedades ópticas. También se encontró que la fluorescencia de nuestro material aparecía en concentraciones de dopante superiores a una relación molar 100:3. Finalmente la respuesta foto electrónica de nuestro material depositado en películas de ITO permitía producir 0.5V de potencial en las pruebas de circuito abierto, y una potencia de 3 mWcm-2g.1 en las celdas elaboradas para las pruebas de descarga. |
URI: | http://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/2525 |
Aparece en: | Ingeniería en Nanotecnología |
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