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dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_ES
dc.contributorJose Alonso Lopez Mirandaes_ES
dc.creatorSergio Alejandro Salazar Altamiranoes_ES
dc.date2020-11-23-
dc.date.accessioned2020-11-27T17:49:43Z-
dc.date.available2020-11-27T17:49:43Z-
dc.date.issued2020-11-23-
dc.identifier.urihttp://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/2401-
dc.descriptionLos aislantes topológicos son un tipo de material con interesantes propiedades, debido a estados de superficie sin brecha de energía, como conducción únicamente en la superficie o borde y un comportamiento aislante en el volumen, por lo que estos aislantes son prometedores en diversas áreas tecnológicas, por ejemplo, en la espintrónica. El estudio de las propiedades de estos materiales se ha vuelto de mucho interés y en años recientes se encontró que diversas aleaciones Semi-Heusler pueden exhibir una topología no trivial, al igual que los aislantes topológicos. En este trabajo estudiamos los compuestos Semi-Heusler: ScAuPb, ScPtBi, LuPtSb, LaPtSb y LaPtBi; y el aislante topológico ya bien conocido HgTe. Se emplea la Teoría del Funcional de la Densidad (Density Functional Theory o DFT) para estudiar propiedades estructurales, la estructura de bandas, densidad de estados electrónicos y dispersión de fonones, enfocándonos en la estructura electrónica de los sistemas y posibles inversiones de bandas propias de los aislantes topológicos por medio de la fuerza de inversión de bandas, que es un valor importante para caracterizar estos aislantes, siendo positiva pero en algunos casos cercana a cero o negativa para un aislante común y por esto muy sensible al tipo de funcional empleado en su cálculo por medio de DFT.es_ES
dc.formatAdobe PDFes_ES
dc.language.isoEspañoles_ES
dc.relation.requiresNoes_ES
dc.rightsAcceso Abiertoes_ES
dc.subjectAislante topológicoes_ES
dc.subjectTeoría del Funcional de la Densidad DFTes_ES
dc.subjectSemi-Heusleres_ES
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_ES
dc.titleAislantes topológicos: estudio de propiedades electrónicas y vibracionales de compuestos Semi-Heusler desde primeros principioses_ES
dc.typeTesis de licenciaturaes_ES
dc.creator.tidCURPes_ES
dc.contributor.tidcurpes_ES
dc.creator.identificadorSAAS970111HHGLLR02es_ES
dc.contributor.identificadorLOMA810913HCSPRL05es_ES
dc.contributor.roleDirectores_ES
dc.degree.nameIngeniería Físicaes_ES
dc.degree.departmentFacultad de Ingenieríaes_ES
dc.degree.levelLicenciaturaes_ES
Aparece en: Ingeniería Física

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