Título :	Crecimiento de películas delgadas de SnS por la técnica de evaporación en alto vacío
Autor:	Cynthia Iveth Negrete Martínez
Palabras clave :	Películas de SnS Evaporación Alto vacío
Fecha de publicación :	2012
Editorial :	Universidad Autónoma de Querétaro
Facultad:	Facultad de Química
Prográma académico:	Ingeniería en Químico de Alimentos
Resumen:	Películas de sulfuro de estaño (SnS) se crecieron en sustratos de vidrio corning, en un equipo de evaporación en alto vacío (10-6 Torr), a partir de polvo se sulfuro de estaño comercial con pureza de 99.999 %, se varió la temperatura del sustrato desde 150 hasta 350 ¿C. Las muestras obtenidas se caracterizaron estructural, morfológica, óptica y eléctricamente. Todas las películas mostraron una estructura tipo herzebengita, parámetros de red cercanos a los valores de polvo de SnS. Elancho de banda prohibido varió de 1.19 a 1.26 eV a medida que la temperatura del sustrato se incrementó. El tamaño de grano mostró una dependencia significativa de la temperatura del sustrato, el tamaño de grano promedio para las películas quese depositaron fue de 2 a 52 nm. La técnica Raman mostró que la estructura de las películas es de sulfuro de estaño con trazas de las fases Sn2S3 y SnS2. El análisis EDS mostró una relación Sn/S en el intervalo de 1.01-1.1. Las mediciones de fotorrespuesta revelaron que las películas depositadas a 300 ºC son las más fotosensibles, los valores de resistividad variaron desde 103 hasta 105 ¿-cm al incrementarse la temperatura del sustrato. Con base en los resultados obtenidos se puede determinar que las películas depositadas entre los 250 ºC y 300 ºC mostraron las mejores propiedades.
URI :	https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/6510
Otros identificadores :	543 - RI000912.pdf
Aparece en las colecciones:	Ingeniería en Químico de Alimentos

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