Cada vez es mayor el uso de combustibles fósiles debido a la fuerte dependencia del ser humano a su uso descontrolado. Además del agotamiento de dichos recursos no renovables, los niveles de contaminación han crecido de forma inminente, provocando gases de efecto invernadero, cambio climático, entre otros problemas. A raíz de esta situación, la comunidad científica se ha enfocado en la generación de energía a partir de fuentes renovables. El desarrollo de celdas solares ha crecido exponencialmente, ya que se cuenta con la ventaja de que el sol provee más energía del requerimiento mundial actual. En este trabajo se desarrollaron cedas fotovoltaicas basadas en la heteroestructura CdS/CdTe, semiconductores tipo n y tipo p respectivamente, cuyas propiedades ópticas y eléctricas los convierten en candidatos prometedores para obtener celdas con altas eficiencias. Los métodos de procesamiento de dichos materiales son prácticos a nivel laboratorio y es posible llevarlos a gran escala. Se propuso la incorporación de una capa de ZnO de alta resistencia que se obtuvo por erosión catódica a radiofrecuencia, para reducir la densidad de corriente interfacial entre el óxido conductor transparente y el CdS. Se obtuvieron películas de CdS sobre substratos de vidrio/SnO₂:F/ZnO y vidrio/SnO₂:F mediante baño químico variando las concentraciones de los precursores de síntesis (tiourea y cloruro de amonio). Las películas de CdS fueron caracterizadas con diferentes técnicas. Mediante difracción de rayos X se identificó la fase hexagonal, así como los parámetros estructurales. Las películas presentaron alta transmitancia, alrededor de 80% a partir de los 500 nm. Las propiedades eléctricas se encuentran fuertemente influenciadas por la concentración de precursores y del espesor de las películas. Posteriormente, sobre la película de CdS se depositó CdTe mediante sublimación de espacio cercano. Las celdas fabricadas se sometieron a un tratamiento térmico con MgCl₂ a diferentes temperaturas. Se evaluaron las propiedades fotovoltaicas de las celdas con y sin ZnO, la incorporación de una película de ZnO de alta resistencia incrementó la eficiencia del dispositivo en un 2%. Los resultados se discuten en términos de los parámetros de obtención de las películas de CdS y de la temperatura de activación.