Descripción:
En la actualidad los óxidos semiconductores han sido ampliamente
estudiados debido a que sus propiedades fisicoquímicas resultan
esenciales para diversas aplicaciones en la electrónica, en la computación,
en las comunicaciones, para la elaboración de pinturas, en la degradación
de compuestos contaminantes y como catalizadores para llevar a cabo
reacciones que tienen como fin la producción de compuestos de interés. En
este trabajo se prepararon y caracterizaron polvos de TiO2, Bi2O3 y algunas
mezclas de estos, mediante la técnica sol-gel. Se prepararon soluciones
precursoras de los óxidos por separado y para obtener las mezclas se
combinaron volúmenes de una y otra solución a fin de variar el porcentaje
atómico de Bi y Ti en la solución final. Se trabajaron polvos con 10, 20, 70
y 90 porciento atómico de Bi, sinterizados a 500 y 550 °C. La principal
característica que presentaron fue que conforme se incrementó la cantidad
de Bi, el comportamiento del material fue más a fin al Bi2O3 y en caso
contrario al TiO2. Con el incremento de la temperatura de sinterizado,
mejoraron un poco las propiedades cristalinas, pero esto no influenció el
desempeño catalítico. Las mezclas con 10 y 20 porciento de Bi, resultaron
amorfas y con muy poca actividad fotocatalítica, tanto en la degradación del
azul de metileno en solución acuosa, como en la fotorreducción de CO2 a
metanol. Aunque las mezclas no superaron la actividad catalítica del TiO2
puro, fueron empleadas por primera vez en la fotoreducción de CO2,
abriendo la oportunidad de emplear este material en fotosíntesis.