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dc.rights.license http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 es_ES
dc.contributor José Santos Cruz es_ES
dc.creator Daniel Trejo Zamudio es_ES
dc.date 2023-05-01
dc.date.accessioned 2023-05-31T18:29:20Z
dc.date.available 2023-05-31T18:29:20Z
dc.date.issued 2023-05-01
dc.identifier.uri https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/8396
dc.description La presente investigación se centra en el estudio de las propiedades termoeléctricas de los semiconductores SnO2 y ZnO impurificados con Bi, y de un material base Cu-Sb-S; sintetizados en película delgada sobre sustratos de vidrio Corning. El ZnO se obtuvo mediante la técnica de sol-gel y la técnica de depósito de inmersión-remoción. La velocidad de remoción fue de 6 cm/s, seguido de secado a 150 °C por 20 minutos y tratamiento térmico a 500 °C durante una hora en atmósfera abierta; repitiendo el procedimiento seis veces. El semiconductor SnO2 se obtuvo depositando una solución mediante la técnica de rocío pirolítico. El depósito se realizó durante 2 minutos aplicando un volumen final de 10 ml, con una temperatura del sustrato de 400 °C. En ambos óxidos se estudiaron los efectos de la concentración de bismuto sobre sus propiedades termoeléctricas. Finalmente, el material de Cu-Sb-S se obtuvo por crecimiento en capas mediante la evaporación física secuencial de polvos de Sb2S3 y CuS con corrientes de 120 A y 210 A respectivamente. Se variaron los espesores de ambas capas y las temperaturas de tratamiento térmico, llevado en atmosfera de nitrógeno durante 2 horas. Se caracterizaron las películas y con base en el factor de potencia; se eligieron dos muestras para la construcción de un módulo prototipo. Se utilizó SnO2 sin impurificar como material tipo-n, con un coeficiente de Seebeck de -91.0 μV/K y un factor de potencia de 0.51 μW/cm∙K2. Como material tipo-p se utilizó una muestra (con mezcla de fases) que se obtuvo por depósito de Sb2S3 y CuS con espesores de 320 nm y 160 nm respectivamente, y tratada a 300 °C. Su coeficiente de Seebeck fue de 72.5 μV/K y su factor de potencia de 2.30 μW/cm∙K2. El módulo construido genero un potencial de 5.2 mV con una diferencia de temperatura de 12.5 K, siendo competitivo en comparación con módulos de película delgada reportados en la literatura. Por lo tanto, estos materiales pueden ser empleados en aplicaciones termoeléctricas. Además, sus propiedades pueden ser modificadas por el porcentaje de fases y la impurificación con elementos de átomos pesados. es_ES
dc.format Adobe PDF es_ES
dc.language.iso spa es_ES
dc.publisher Química es_ES
dc.relation.requires Si es_ES
dc.rights Acceso Abierto es_ES
dc.subject Biología y Química es_ES
dc.subject Química es_ES
dc.subject Tecnología de Materiales es_ES
dc.title Desarrollo y estudio de óxidos de zinc y estaño dopados con Bi, y un calcogenuro ternario de Cu-Sb-S para aplicaciones termoeléctricas es_ES
dc.type Tesis de doctorado es_ES
dc.creator.tid curp es_ES
dc.contributor.tid cvu es_ES
dc.creator.identificador TEZD900726HHGRMN06 es_ES
dc.contributor.identificador 0000-0002-3619-1713 es_ES
dc.contributor.role Director es_ES
dc.degree.name Doctorado en Ciencias de la Energía es_ES
dc.degree.department Facultad de Química es_ES
dc.degree.level Doctorado es_ES


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Nombre: RI007491.pdf
Tamaño: 3.855Mb
Formato: PDF
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