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dc.rights.license http://creativecommons.org/licenses/by-nd/4.0 es_ES
dc.contributor José De Jesús Coronel Hernández es_ES
dc.creator Jean-Claude Octavius Junior Fran¿Ois es_ES
dc.date 2012
dc.date.accessioned 2016-08-30T19:53:11Z
dc.date.available 2016-08-30T19:53:11Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier 563 - RI000923.pdf es_ES
dc.identifier.uri https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/6534
dc.description El sulfuro de zinc (ZnS) es un material muy prometedor como sustituto del sulfuro de cadmio (CdS) en dispositivo optoeléctricos. Es un compuesto semiconductor debanda directa, por lo que tiene una gran variedad de aplicaciones industriales. En este trabajo de tesis, se presentan los resultados de investigación sobre la obtención de películas semiconductoras de sulfuro de zinc por la técnica de baño químico. Se optimizó una técnica para lograr controlar principalmente la razón de [S]/[Zn]. Después de la obtención de las películas, se midieron sus propiedades estructurales, eléctricas y ópticas. Para ello, las películas se caracterizaron por diferentes técnicas: resistividad, conductividad eléctrica por el método de cuatro puntas, medición de la transmisión y absorción ópticas por espectroscopia ultravioleta-visible, microscopia electrónica de barrido (SEM) y difracción de rayos X. Los resultados serán la base para un estudio posterior de aplicación de las películas obtenidas en la fabricación de una celda solar. es_ES
dc.format Adobe PDF es_ES
dc.language.iso spa es_ES
dc.publisher Universidad Autónoma de Querétaro es_ES
dc.relation.requires No es_ES
dc.rights Acceso Abierto es_ES
dc.subject Películas semiconductoras es_ES
dc.subject ZnS es_ES
dc.subject Baño químico es_ES
dc.title Crecimiento de películas semiconductoras de ZnS por la técnica de baño químico es_ES
dc.type Tesis de licenciatura es_ES
dc.contributor.role Director es_ES
dc.degree.name Ingeniero Químico en Materiales es_ES
dc.degree.department Facultad de Química es_ES
dc.degree.level Licenciatura es_ES


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Nombre: RI000563.pdf
Tamaño: 2.433Mb
Formato: PDF
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