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dc.rights.license | http://creativecommons.org/licenses/by-nd/4.0 | es_ES |
dc.contributor | José Santos Cruz | es_ES |
dc.creator | Rogelio Juárez Saldaña | es_ES |
dc.date | 2014 | |
dc.date.accessioned | 2016-08-19T19:34:57Z | |
dc.date.available | 2016-08-19T19:34:57Z | |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.identifier | 367 - RI000615.pdf | es_ES |
dc.identifier.uri | https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/6292 | |
dc.description | En el presente trabajo se obtuvieron materiales ternarios del tipo CuXZn1-xS, empleando la técnica de baño químico, la cual es una técnica muy económica, sencilla y que emplea temperaturas bajas entre 25 a 95 °C. Durante la experimentación se optimizó el proceso a fin de obtener materiales ternarios estables y con propiedades idóneas para su aplicación como capa activa en dispositivos optoelectrónicos y en fotocatálisis. Se partió de síntesis de sulfuro de zinc (ZnS) y sulfuro de cobre II (CuS) previamente desarrolladas en el laboratorio de materiales avanzados del área de materiales, las cuales se modificaron para poderlas aplicar en bicapas. Mediante reacciones de estado sólido (vidrio/ZnS/CuS) controlando la temperatura y la atmósfera de tratamiento. Las películas obtenidas fueron tratadas térmicamente en diferentes atmósferas a fin de mejor sus propiedades. Se utilizaron atmósferas reductora (N2+H2), oxidante (aire) e inerte (Ar). Las películas delgadas obtenidas fueron caracterizadas ópticamente mediante espectroscopia UV-Vis, morfológicamente mediante microscopía electrónica de barrido (SEM), estructuralmente mediante difracción de rayos-X, eléctricamente mediante resistividad por el método de cuatro puntas, el espesor fue medido por perfilometría. | es_ES |
dc.format | Adobe PDF | es_ES |
dc.language.iso | spa | es_ES |
dc.publisher | Universidad Autónoma de Querétaro | es_ES |
dc.relation.requires | No | es_ES |
dc.rights | Acceso Abierto | es_ES |
dc.subject | Baño químico | es_ES |
dc.subject | Idóneas | es_ES |
dc.subject | Optoelectrónicos | es_ES |
dc.title | Obtención de aleaciones ternarias de CuxZn1-xS a partir de compuestos binarios (CuS y ZnS) por la técnica de depósito por baño químico | es_ES |
dc.type | Tesis de licenciatura | es_ES |
dc.contributor.role | Director | es_ES |
dc.degree.name | Ingeniero Químico en Materiales | es_ES |
dc.degree.department | Facultad de Ingeniería | es_ES |
dc.degree.level | Licenciatura | es_ES |