Descripción:
"Una de las alternativas más viables para la generación de electricidad son las
celdas solares. La celda fotovoltaica basada en el compuesto CuInGaSe2 con una
estructura cristalina ortorrómbica tipo calcopirita se ha reportado con una eficiencia
de 23% no obstante el indio es escaso y el galio presenta alta toxicidad por lo se
opta por la sustitución de estos dos elementos por el antimonio, obteniendo el
compuesto ternario CuSbSe2, el cual presenta una configuración química parecida
sin embargo modifica su estructura ortorrómbica a una tipo calcostibita por el estado
de oxidación 3+ del antimonio, que a diferencia del indio, contiene dos electrones no
enlazantes de un solo par que frustran el enlace tetraédrico, obteniendo una
temperatura de crecimiento menor y mayor índice de absorción. En el presente
trabajo se estudiaron las propiedades estructurales, ópticas y electrónicas de
películas de CuSbSe2 por la técnica de depósito por láser pulsado. Primeramente,
se obtuvieron blancos del material CuSbSe2 por la técnica de reacción en estado
sólido, a partir de los precursores Cu2Se y Sb2Se3 variando las condiciones del
tratamiento térmico para obtener la fase cristalina deseada y posteriormente se
obtuvieron películas delgadas. La caracterización estructural mostró que para una
temperatura de tratamiento térmico de 300 °C se obtienen películas con una mayor
presencia de la fase CuSbSe2. La caracterización óptica permitió determinar un
ancho de banda prohibida de entre 1.1-1.5 eV y la caracterización por efecto Hall
permitió corroborar que las películas de CuSbSe2 tienen una conductividad tipo P."