"ESTUDIO Y OBTENCIÓN DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORAS DE CdS y CdTe POR LAS  TÉCNICAS DE BAÑO QUÍMICO Y ABLACIÓN LÁSER PARA APLICACIONES  FOTOVOLTAICAS BASADAS EN LA HETEROESTRUCTURA CdS/CdTe "

Salomón Moreno Alcocer

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dc.rights.license	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0	es_ES
dc.contributor	Karen Rodriguez Rosales	es_ES
dc.creator	Salomón Moreno Alcocer	es_ES
dc.date	2022-08-31
dc.date.accessioned	2022-09-06T18:38:16Z
dc.date.available	2022-09-06T18:38:16Z
dc.date.issued	2022-08-31
dc.identifier.uri	http://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/3830
dc.description	En este trabajo se realizó la heteroestructura CdS/CdTe para aplicaciones fotovoltaicas. Primero se obtuvieron películas semiconductoras de CdS mediante la técnica de baño químico sobre sustratos de vidrio/SnO2:F con concentraciones de tiourea de 0.075 M y 0.1 M. Seguida de una película de CdTe por ablación láser a diferentes temperaturas. La caracterización de las películas de CdS por DRX (Difracción de rayos X) y espectroscopia Raman indican un crecimiento preferencial de la fase hexagonal con un tamaño de cristal ~19-20 nm. En los espectros UV-Vis se observaron los bordes de absorción entre 530-590 nm, los anchos de banda estimados son de 2.41-2.42 eV. Las mediciones de Efecto Hall indican una concentración y movilidad de portadores de -1.10x1012cm-3 y 400.54 cm2 /Vs, respectivamente. Posteriormente, se depositaron películas de CdTe a distintas temperaturas sobre los sustratos de vidrio/SnO2:F/CdS utilizando la técnica de ablación láser. En las imágenes SEM (Microscopia electrónica de barrido) se observó que al someter las películas de CdTe a un tratamiento térmico con CdCl2 se incrementa el tamaño de grano. La caracterización Raman indicó mayor intensidad del modo atribuido al CdTe al incrementar la temperatura de sustrato durante el depósito. El análisis de los espectros UV-Vis indico un borde de absorción entre los 800 nm, los anchos de banda estimados están entre 1.48-1.50 eV. Finalmente, las mediciones de corriente contra voltaje (J-V) de las heteroestructuras CdS/CdTe, indicaron que las mejores condiciones de depósito fueron a 0.1 M de tiourea para las películas de CdS y una temperatura de sustrato de 300 °C para el CdTe, obteniendo una eficiencia de 2.38 %.	es_ES
dc.format	Adobe PDF	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.relation.requires	No	es_ES
dc.rights	Acceso Abierto	es_ES
dc.subject	Películas delgadas	es_ES
dc.subject	Dispositivos fotovoltaicos	es_ES
dc.subject	Baño químico	es_ES
dc.subject	Baño químico	es_ES
dc.subject	Semiconductores	es_ES
dc.subject.classification	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA	es_ES
dc.title	"ESTUDIO Y OBTENCIÓN DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORAS DE CdS y CdTe POR LAS TÉCNICAS DE BAÑO QUÍMICO Y ABLACIÓN LÁSER PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS BASADAS EN LA HETEROESTRUCTURA CdS/CdTe "	es_ES
dc.type	Tesis de licenciatura	es_ES
dc.creator.tid	curp	es_ES
dc.contributor.tid	curp	es_ES
dc.creator.identificador	MOAS981118HQTRLL07	es_ES
dc.contributor.identificador	RORK921025MMCDSR07	es_ES
dc.contributor.role	Director	es_ES
dc.degree.name	Ingeniero Químico en Materiales	es_ES
dc.degree.department	Facultad de Química	es_ES
dc.degree.level	Licenciatura	es_ES