Buscar


Mostrar el registro sencillo del ítem

dc.rights.license http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 es_ES
dc.contributor Francisco Javier De Moure Flores es_ES
dc.creator Nicolás Enrique Vázquez Barragán es_ES
dc.date 2020-11-01
dc.date.accessioned 2020-08-11T17:49:25Z
dc.date.available 2020-08-11T17:49:25Z
dc.date.issued 2020-11-01
dc.identifier.uri http://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/2290
dc.description La energía solar es una fuente de energía limpia que puede ser aprovechada a través de la tecnología de celdas solares fotovoltaicas la cual ofrece un gran potencial para la producción eléctrica; aportando a la disminución de la huella de carbono. Las celdas solares de película delgada basadas en CdS/CdTe se han considerado como uno de los candidatos más prometedores para la conversión de energía fotovoltaica. Sin embargo, uno de los principales problemas que tienen estos dispositivos es debido a la alta afinidad electrónica que posee el CdTe. Una estrategia viable para resolver este problema, es la inserción de una capa intermedia que esté fuertemente impurificada entre el CdTe y el contacto metálico, la cual pueda considerarse como una capa tipo p+. El presente trabajo se enfocó en la obtención de películas semiconductoras de ZnTe y de películas de ZnTe impurificadas con N para poder ser usada como capa tipo p+. Se obtuvieron películas de ZnTe mediante la técnica de erosión catódica variando la potencia, temperatura y tiempo de depósito, con la finalidad de encontrar los parámetros apropiados para posteriormente ser impurificadas con nitrógeno (ZnTe:N) en un rango desde 1 hasta 5%. Se realizó la caracterización estructural, morfológica, óptica y eléctrica de las películas sin impurificar e impurificadas con propósito comparativo. Se determinó que las mejores características se dieron al 3% de impurificación con N, presentando una estructura cristalina hexagonal, una conductividad tipo p, una energía de ancho de banda prohibida de 1.5 eV una densidad de portadores en un orden de 1017 cm-3 y una resistividad de 3 Ω∙cm. Finalmente, se evaluó el desempeño fotovoltaico de estas películas al 3% de impurificación sobre la heteroestructura CdS/CdTe, lográndose una eficiencia máxima del 7%. es_ES
dc.format Adobe PDF es_ES
dc.language.iso Español es_ES
dc.relation.requires Si es_ES
dc.rights En Embargo es_ES
dc.subject CdS es_ES
dc.subject CdTe es_ES
dc.subject Celda solar es_ES
dc.subject ZnTe es_ES
dc.subject Energía es_ES
dc.subject.classification INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA es_ES
dc.title OBTENCIÓN Y ESTUDIO DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORAS DE ZnTe PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS BASADAS EN LA HETEROESTRUCTURA CdS/CdTe es_ES
dc.type Tesis de maestría es_ES
dc.creator.tid Clave CV CONACyT es_ES
dc.creator.identificador 929322 es_ES
dc.contributor.role Director es_ES
dc.degree.name Maestría en Ciencias de la Energía es_ES
dc.degree.department Facultad de Química es_ES
dc.degree.level Maestría es_ES


Ficheros en el ítem

Thumbnail
Nombre: RI005351.pdf
Tamaño: 5.049Mb
Formato: PDF
Ver/

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Mostrar el registro sencillo del ítem