Reducción en las pérdidas de voltaje de circuito abierto en celdas solares emergentes de Cu2BaSn(S,Se)4, Ag2BaTiSe4 Y Cu2MSnS4 (M = Co, Mn, Fe, Mg) mediante el uso de capas buffer no tóxicas y Cu2SrSnS4 con capas de transporte de huecos inorgánicas

Kaviya Tracy Arockiadoss

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dc.rights.license	https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0	es_ES
dc.contributor	Latha Marasamy	es_ES
dc.creator	Kaviya Tracy Arockiadoss	es_ES
dc.date.accessioned	2026-01-15T21:33:02Z
dc.date.available	2026-01-15T21:33:02Z
dc.date.issued	2025-11-27
dc.identifier.uri	https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/12525
dc.description	Los semiconductores I2 -II-IV-VI4 (I = Cu/Ag; II = Ba/Sr/Co/Mn/Fe/Mg; IV = Sn/Ti; VI = S/Se) han despertado un creciente interés como capas absorbentes fotovoltaicas por sus propiedades optoelectrónicas favorables. No obstante, la eficiencia se ve limitada por un déficit elevado de 𝑉, atribuible a una desalineación de bandas con la capa tampón tóxica de CdS y a la recombinación próxima al contacto posterior. Para abordar estos retos, esta tesis presenta cuatro estudios: tres evalúan capas tampón no tóxicas como alternativas a CdS en celdas solares basadas en Cu2 𝑂𝐶 BaSn(S,Se)4 , Ag2 BaTiSe4 y Cu2 MSnS4 (M = Co, Mn, Fe, Mg); el cuarto examina el efecto de las capas transportadoras de huecos (HTL) en dispositivos de Cu2, empleando el simulador SCAPS-1D. En total, se diseñaron 4,959 dispositivos variando: la capa absorbente, capa tampón, HTL y propiedades de interfaz. Primero, se propone TiS2 como capa tampón para Cu2 MSnS4 (M = Co, Mn, Fe, Mg). Frente a CdS, las configuraciones con TiS2 logran eficiencias > 27 %, asociadas a barreras electrónicas reducidas (-0.24/-0.40/-0.04/0.08 eV en TiS2 /Cu2 MSnS4) y a potenciales incorporados superiores a 1.2 V. Segundo, se evalúa ZrS2 como capa tampón para Cu2 BaSn(S,Se)4 : ZrS2 se comporta como semiconductor tipo n degenerado, mejora la conductividad del dispositivo y muestra tolerancia a defectos hasta 10¹8 cm⁻³. Tercero, se exploran calcogenuros alcalinotérreos (MgS, BaS, CaS, SrS), además de CdS, como capas tampón para Ag2 BaTiSe4; alcanzando eficiencias >28 %, atribuible a menor acumulación de la capacitación y a mayor desdoblamiento de niveles cuasi-Fermi. Finalmente, se diseñan celdas de Cu2 SrSnS4 con y sin HTL; La celda sin HTL, el campo incorporado se debilita y la curvatura de bandas interfacial se intensifica, dificultando la separación y el transporte de huecos y reduciendo la eficiencia global, lo que resalta la importancia de integrar HTL para elevar la eficiencia. En conjunto, esta tesis ofrece una base teórica sólida para impulsar la mejora del desempeño en celdas I2 -II-IV-VI4 y orienta los pasos experimentales para lograr dispositivos más estables y eficientes.	es_ES
dc.format	pdf	es_ES
dc.format.extent	1 recurso en línea (199 páginas)	es_ES
dc.format.medium	computadora	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.publisher	Universidad Autónoma de Querétaro	es_ES
dc.relation.requires	Si	es_ES
dc.rights	openAccess	es_ES
dc.subject	SCAPS-1D	es_ES
dc.subject	Celda solar I2 -II-IV-VI4	es_ES
dc.subject	Capa Tampón (buffer)	es_ES
dc.subject	Tasa de recombinación de portadores	es_ES
dc.subject.classification	BIOLOGÍA Y QUÍMICA	es_ES
dc.title	Reducción en las pérdidas de voltaje de circuito abierto en celdas solares emergentes de Cu2BaSn(S,Se)4, Ag2BaTiSe4 Y Cu2MSnS4 (M = Co, Mn, Fe, Mg) mediante el uso de capas buffer no tóxicas y Cu2SrSnS4 con capas de transporte de huecos inorgánicas	es_ES
dc.type	Tesis de doctorado	es_ES
dc.creator.tid	ORCID	es_ES
dc.contributor.tid	ORCID	es_ES
dc.creator.identificador	0000-0001-5508-4000	es_ES
dc.contributor.identificador	0000-0002-2564-0894	es_ES
dc.contributor.role	Director	es_ES
dc.degree.name	Doctorado en Ciencias de la Energía	es_ES
dc.degree.department	Facultad de Química	es_ES
dc.degree.level	Doctorado	es_ES
dc.format.support	recurso en línea	es_ES
dc.matricula.creator	311411	es_ES
dc.folio	FQDCC-311411	es_ES