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dc.rights.license https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 es_ES
dc.contributor Francisco Javier de Moure Flores es_ES
dc.creator Nicolás Enrique Vázquez Barragán es_ES
dc.date.accessioned 2024-11-07T20:08:07Z
dc.date.available 2024-11-07T20:08:07Z
dc.date.issued 2024-08
dc.identifier.uri https://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/11216
dc.description La tecnología CdS/CdTe presenta un gran inconveniente debido a la formación de la barrera de Shottky-Mott, la cual limita la eficiencia del dispositivo fotovoltaico. Una alternativa para aminorar sus efectos es mediante la adición de una película semiconductora tipo p+ entre el CdTe y el contacto posterior del dispositivo. Por este motivo, el objetivo de esta tesis doctoral se centró en el crecimiento de películas delgadas de ZnTe:N y Sb2Te3 para ser utilizadas como capas tipo p+. Se fabricaron dispositivos solares con la heteroestructura ZnO/CdS/CdTe/ZnTe:N/Cu-Au para evaluar el efecto que tuvo el tratamiento térmico rápido (RTP) sobre la capa ZnTe:N y por ende en la eficiencia del dispositivo. Se demostró que un RTP aplicado a la capa ZnTe:N mejoró en un 2% el rendimiento. Películas delgadas de SbxTey se depositaron en un sistema de erosión catódica a radiofrecuencia (RF) modificando el flujo de argón, temperatura de sustrato y potencia de RF. Se realizaron caracterizaciones estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de las películas de SbxTey para identificar los parámetros apropiados de crecimiento. La caracterización estructural reveló que variaciones en el flujo de argón favorecen el crecimiento de películas de SbxTey con una estructura predominantemente de Te hexagonal e incluso una mezcla de fases de Te hexagonal y Sb2Te3, mientras que incrementos en la temperatura de sustrato suprimen la formación de Te hexagonal y propician la formación del compuesto Sb2Te3. El estudio morfológico demostró que una temperatura de crecimiento de 400 °C favorece la presencia de granos bien definidos sobre la superficie. La caracterización óptica permitió determinar que una temperatura de crecimiento de 400 °C resultó en una muestra de SbxTey con una transmitancia relativamente baja de 3%. La caracterización eléctrica mostró que los mejores valores de densidad de huecos, movilidad y resistividad de las películas de SbxTey se obtienen con una temperatura de sustrato de 400 °C. Se determinó que las condiciones favorables para el crecimiento de películas de Sb2Te3 en un sistema de erosión catódica a RF son un flujo de argón de 2.5 sccm, una temperatura de sustrato de 400 °C y una potencia de RF de 30 W. es_ES
dc.format pdf es_ES
dc.format.extent 1 recurso en línea (111 páginas) es_ES
dc.format.medium computadora es_ES
dc.language.iso spa es_ES
dc.publisher Universidad Autónoma de Querétaro es_ES
dc.relation.requires Si es_ES
dc.rights openAccess es_ES
dc.subject Celdas solares es_ES
dc.subject CdS/CdTe es_ES
dc.subject ZnTe:N es_ES
dc.subject Sb2Te3 es_ES
dc.subject Semiconductores es_ES
dc.subject.classification INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA es_ES
dc.title Obtención y estudio de películas semiconductoras tipo p+ de ZnTe:N y Sb2Te3 para aplicaciones fotovoltaicas basadas en la heteroestructura CdS/CdTe es_ES
dc.type Tesis de doctorado es_ES
dc.creator.tid ORCID es_ES
dc.contributor.tid ORCID es_ES
dc.creator.identificador 0009-0004-4128-8052 es_ES
dc.contributor.identificador 0000-0002-8010-3573 es_ES
dc.contributor.role Director es_ES
dc.degree.name Doctorado en Ciencias de la Energía es_ES
dc.degree.department Facultad de Química es_ES
dc.degree.level Doctorado es_ES
dc.format.support recurso en línea es_ES
dc.matricula.creator 281323 es_ES
dc.folio FQDCC-281323 es_ES


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Nombre: FQDCC-281323.pdf
Tamaño: 3.951Mb
Formato: PDF
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