Título :	Modificación de la respuesta óptica de cristales fotónicos de silicio poroso a través de oxidación térmica para aplicaciones ópticas en el UV-VIS
Sustentante:	René Francisco Sierra Moreno
Palabras clave :	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA FÍSICA ÓPTICA
Fecha de publicación:	1-dic-2021
metadata.dc.degree.department:	Facultad de Ingeniería
metadata.dc.degree.name:	Ingeniería Física
Descripción :	El silicio poroso (PSi) es un material compuesto que, a lo largo del tiempo desde su descubrimiento en 1956, ha tomado importancia para el uso del silicio en la electrónica. Sin embargo, la naturaleza de su fabricación produce varias especies químicas que causan perdidas ópticas en estos dispositivos. En este trabajo de investigación se propone el uso de tratamientos térmicos enfocados a películas delgadas de PSi como una alternativa para la reducción de las pérdidas ópticas a través del cambio en la porosidad debido al llenado producido por la oxidación además del suavizado de las interfaces y paredes de los poros para la fabricación de dispositivos ópticos de PSi más estables y de mejor calidad óptica. Se fabricaron un total de 24 muestras de PSi distribuidas en 12 muestras de dos corrientes de anodizado usando monitoreo por fotoacústica. Se oxidaron las muestras de PSi junto a 12 sustratos de silicio cristalino (c-Si) bajo una atmósfera de aire. Todas las muestras fueron caracterizadas mediante espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier (FTIR) y microscopía electrónica de barrido (SEM) con el fin de conocer los cambios químicos y morfológicos que experimentan después del tratamiento térmico. Las propiedades ópticas se analizaron mediante espectroscopia UV-Vis antes y después del tratamiento térmico relacionando los espectros con las características de las monocapas utilizando el método de la matriz de transferencia (TMM), teoría de medio efectivo y algoritmos genéticos (A.G.).
URI :	http://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/3236
Otros identificadores :	Silicio poroso Cristales fotónicos Fotoacústica Oxidación térmica
Aparece en las colecciones:	Ingeniería Física

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