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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_ES
dc.contributorFrancisco Javier De Moure Floreses_ES
dc.creatorPaola Elideth Rodríguez Hernándezes_ES
dc.date2021-06-01-
dc.date.accessioned2021-05-21T17:46:02Z-
dc.date.available2021-05-21T17:46:02Z-
dc.date.issued2021-06-01-
dc.identifierTécnica de baño químicoes_ES
dc.identifierDepósito por láser pulsadoes_ES
dc.identifierHeteroestructura semiconductoraes_ES
dc.identifierSustratos flexibleses_ES
dc.identifier.urihttp://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/2924-
dc.descriptionLa producción de energía mediante dispositivos fotovoltaicos es un tema de gran relevancia hoy en día. Dentro de la elaboración de dispositivos fotovoltaicos se han encontrado alternativas para la reducción de costos, una de ellas, es el uso de películas delgadas para fabricar celdas, a través de la cual se obtienen dispositivos usando poco material. Existen técnicas físicas y químicas para depositar películas semiconductoras para aplicaciones fotovoltaicas. Por otra parte, los dispositivos flexibles han llamado la atención por su peso ligero y que a su vez son fáciles de plegar y transportar; ofrecen una fuente de energía alternativa de bajo costo y amplia área de superficie. El presente trabajo se enfoca en la elaboración de heteroestructuras semiconductoras flexibles del tipo n–p, libre de elementos tóxicos para su uso como dispositivo fotovoltaico; empleando las técnicas de baño químico y depósito por láser pulsado. Mediante la técnica de baño químico se impurificó el sulfuro de indio con Al, B y Ga; controlando parámetros de crecimiento, tales como: la temperatura y tiempo de depósito. Se crecieron películas de sulfuro de cobre y cobre, indio, disulfuro usando depósito por láser pulsado, variando longitud de onda y distancia blanco–sustrato. La caracterización estructural se realizó utilizando espectrometría Raman y Difracción de Rayos–X, cuyos resultados mostraron películas cristalinas en fases estables a temperatura ambiente de: ꞵ-In2S3, Sulfuro de cobre fase covelita, y el compuesto ternario con estequiometría CuInS2 con baja cristalinidad. Mediante la espectroscopia UV-Vis, se estimó el ancho de banda prohibida y transmitancia promedio de las películas con valores de 2.8 eV para el In2S3; de 2.2 para CuS y 1.7 para CuInS2. La conductividad de los materiales fue: tipo–n para el In2S3, tipo–p para el CuS y CuInS2. Finalmente, se obtuvo una heteroestructura de tipo n–p con la configuración PET/ITO/In2S3/CuS.es_ES
dc.formatAdobe PDFes_ES
dc.language.isoEspañoles_ES
dc.relation.requiresSies_ES
dc.rightsEn Embargoes_ES
dc.subjectINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_ES
dc.subjectFÍSICAes_ES
dc.subjectFÍSICA DEL ESTADO SÓLIDOes_ES
dc.titleEstudio de heteroestructuras tipo n-p para su aplicación en dispositivos fotovoltaicos flexibles, obtenidas mediante las técnicas de baño químico y depósito por láser pulsadoes_ES
dc.typeTesis de doctoradoes_ES
dc.creator.tidCURPes_ES
dc.contributor.tidcurpes_ES
dc.creator.identificadorROHP890326MHGDRL02es_ES
dc.contributor.identificadorMOFF811110HDFRLR01es_ES
dc.contributor.roleDirectores_ES
dc.degree.nameDoctorado en Ciencias de la Energíaes_ES
dc.degree.departmentFacultad de Químicaes_ES
dc.degree.levelDoctoradoes_ES
Aparece en las colecciones: Doctorado en Ciencias de la Energía

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