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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_ES
dc.contributorJosé Santos Cruzes_ES
dc.creatorCuauhtémoc Guerrero Leónes_ES
dc.date2020-12-17-
dc.date.accessioned2021-01-28T16:57:45Z-
dc.date.available2021-01-28T16:57:45Z-
dc.date.issued2020-12-17-
dc.identifierSulfuro de germanioes_ES
dc.identifierDepósito físico de vapores_ES
dc.identifierTratamiento térmicoes_ES
dc.identifier.urihttp://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/2689-
dc.descriptionEl presente trabajo de investigación se centró en el desarrollo de películas delgadas de GeS utilizando el método de depósito físico de vapor mediante la evaporación de polvo de GeS grado semiconductor. Posteriormente, las películas delgadas se caracterizaron mediante perfilometría, espectroscopias de UV-Visible y Raman, difracción de rayos X y finamente se realizaron mediciones eléctricas. Las películas fueron sometidas a tratamiento térmico durante 20 minutos bajo dos condiciones diferentes: la primera variando la temperatura en el intervalo de 200 a 400 °C en pasos de 50 °C y la segunda en atmósfera de nitrógeno-azufre. Los resultados de difracción de rayos X y espectroscopia Raman revelaron que las películas depositadas, así como las muestras con tratamiento térmico a temperatura más baja tenían una fase amorfa; sin embargo, a 350 °C, se observó un cambio significativo a una estructura ortorrómbica. Mediante espectroscopia UV-Vis, se calculó el ancho de banda prohibida 1.45 y 1.65 eV después del tratamiento térmico. Para la caracterización eléctrica se realizaron mediciones de efecto Hall, identificando la temperatura y el tiempo del tratamiento térmico adecuados como 350 °C y 20 minutos. Finalmente, utilizando las mejores condiciones de depósito y parámetros de tratamiento térmico para las películas delgadas de GeS, se fabricó y caracterizó la heteroestructura, FTO/CdS/GeS/Ag mediante simulador solar, concluyendo que el material se puede utilizar como una capa tipo p para aplicaciones fotovoltaicas.es_ES
dc.formatAdobe PDFes_ES
dc.language.isoEspañoles_ES
dc.relation.requiresSies_ES
dc.rightsAcceso Abiertoes_ES
dc.subjectINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_ES
dc.subjectCIENCIAS TECNOLÓGICASes_ES
dc.subjectTECNOLOGÍA ENERGÉTICAes_ES
dc.titleEstudio y obtención de películas de GeS por PVD para aplicaciones fotovoltaicases_ES
dc.typeTesis de maestríaes_ES
dc.creator.tidClave CV CONACyTes_ES
dc.creator.identificador928433es_ES
dc.contributor.roleDirectores_ES
dc.degree.nameMaestría en Ciencias de la Energíaes_ES
dc.degree.departmentFacultad de Químicaes_ES
dc.degree.levelMaestríaes_ES
Aparece en las colecciones: Maestría en Ciencias de la Energía

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