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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_ES
dc.contributorFrancisco Javier De Moure Floreses_ES
dc.creatorNicolás Enrique Vázquez Barragánes_ES
dc.date2020-11-01-
dc.date.accessioned2020-08-11T17:49:25Z-
dc.date.available2020-08-11T17:49:25Z-
dc.date.issued2020-11-01-
dc.identifierCdSes_ES
dc.identifierCdTees_ES
dc.identifierCelda solares_ES
dc.identifierZnTees_ES
dc.identifierEnergíaes_ES
dc.identifier.urihttp://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/2290-
dc.descriptionLa energía solar es una fuente de energía limpia que puede ser aprovechada a través de la tecnología de celdas solares fotovoltaicas la cual ofrece un gran potencial para la producción eléctrica; aportando a la disminución de la huella de carbono. Las celdas solares de película delgada basadas en CdS/CdTe se han considerado como uno de los candidatos más prometedores para la conversión de energía fotovoltaica. Sin embargo, uno de los principales problemas que tienen estos dispositivos es debido a la alta afinidad electrónica que posee el CdTe. Una estrategia viable para resolver este problema, es la inserción de una capa intermedia que esté fuertemente impurificada entre el CdTe y el contacto metálico, la cual pueda considerarse como una capa tipo p+. El presente trabajo se enfocó en la obtención de películas semiconductoras de ZnTe y de películas de ZnTe impurificadas con N para poder ser usada como capa tipo p+. Se obtuvieron películas de ZnTe mediante la técnica de erosión catódica variando la potencia, temperatura y tiempo de depósito, con la finalidad de encontrar los parámetros apropiados para posteriormente ser impurificadas con nitrógeno (ZnTe:N) en un rango desde 1 hasta 5%. Se realizó la caracterización estructural, morfológica, óptica y eléctrica de las películas sin impurificar e impurificadas con propósito comparativo. Se determinó que las mejores características se dieron al 3% de impurificación con N, presentando una estructura cristalina hexagonal, una conductividad tipo p, una energía de ancho de banda prohibida de 1.5 eV una densidad de portadores en un orden de 1017 cm-3 y una resistividad de 3 Ω∙cm. Finalmente, se evaluó el desempeño fotovoltaico de estas películas al 3% de impurificación sobre la heteroestructura CdS/CdTe, lográndose una eficiencia máxima del 7%.es_ES
dc.formatAdobe PDFes_ES
dc.language.isoEspañoles_ES
dc.relation.requiresSies_ES
dc.rightsEn Embargoes_ES
dc.subjectINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_ES
dc.subjectFÍSICAes_ES
dc.subjectFÍSICA DEL ESTADO SÓLIDOes_ES
dc.titleOBTENCIÓN Y ESTUDIO DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORAS DE ZnTe PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS BASADAS EN LA HETEROESTRUCTURA CdS/CdTees_ES
dc.typeTesis de maestríaes_ES
dc.creator.tidClave CV CONACyTes_ES
dc.creator.identificador929322es_ES
dc.contributor.roleDirectores_ES
dc.degree.nameMaestría en Ciencias de la Energíaes_ES
dc.degree.departmentFacultad de Químicaes_ES
dc.degree.levelMaestríaes_ES
Aparece en las colecciones: Maestría en Ciencias de la Energía

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