Title:	OBTENCIÓN Y ESTUDIO DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORAS DE ZnTe PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS BASADAS EN LA HETEROESTRUCTURA CdS/CdTe
metadata.dc.creator:	Nicolás Enrique Vázquez Barragán
Keywords:	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA FÍSICA FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO
metadata.dc.date:	1-Nov-2020
metadata.dc.degree.department:	Facultad de Química
metadata.dc.degree.name:	Maestría en Ciencias de la Energía
Description:	La energía solar es una fuente de energía limpia que puede ser aprovechada a través de la tecnología de celdas solares fotovoltaicas la cual ofrece un gran potencial para la producción eléctrica; aportando a la disminución de la huella de carbono. Las celdas solares de película delgada basadas en CdS/CdTe se han considerado como uno de los candidatos más prometedores para la conversión de energía fotovoltaica. Sin embargo, uno de los principales problemas que tienen estos dispositivos es debido a la alta afinidad electrónica que posee el CdTe. Una estrategia viable para resolver este problema, es la inserción de una capa intermedia que esté fuertemente impurificada entre el CdTe y el contacto metálico, la cual pueda considerarse como una capa tipo p+. El presente trabajo se enfocó en la obtención de películas semiconductoras de ZnTe y de películas de ZnTe impurificadas con N para poder ser usada como capa tipo p+. Se obtuvieron películas de ZnTe mediante la técnica de erosión catódica variando la potencia, temperatura y tiempo de depósito, con la finalidad de encontrar los parámetros apropiados para posteriormente ser impurificadas con nitrógeno (ZnTe:N) en un rango desde 1 hasta 5%. Se realizó la caracterización estructural, morfológica, óptica y eléctrica de las películas sin impurificar e impurificadas con propósito comparativo. Se determinó que las mejores características se dieron al 3% de impurificación con N, presentando una estructura cristalina hexagonal, una conductividad tipo p, una energía de ancho de banda prohibida de 1.5 eV una densidad de portadores en un orden de 1017 cm-3 y una resistividad de 3 Ω∙cm. Finalmente, se evaluó el desempeño fotovoltaico de estas películas al 3% de impurificación sobre la heteroestructura CdS/CdTe, lográndose una eficiencia máxima del 7%.
URI:	http://ri-ng.uaq.mx/handle/123456789/2290
Other Identifiers:	CdS CdTe Celda solar ZnTe Energía
Appears in Collections:	Maestría en Ciencias de la Energía

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